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如圖所示，ASEMI肖特基二極管解剖圖放大后的芯片附近，在基片下邊形成N 陰極層，其作用是減小陰極的接觸電阻。通過調(diào)整結(jié)構(gòu)參數(shù)，N型基片和陽極金屬之間便形成肖特基勢壘，如圖所示。當在肖特基勢壘兩端加上正向偏壓(陽極金屬接電源正極，N型基片接電源負極)時，肖特基勢壘層變窄，其內(nèi)阻變小;反之，若在肖特基勢壘兩端加上反向偏壓時，肖特基勢壘層則變寬，其內(nèi)阻變大。

肖特基二極管分為有引線和表面安裝(貼片式)兩種封裝形式。 采用有引線式封裝的肖特基二極管通常作為高頻大電流整流二極管、續(xù)流二極管或保護二極管使用。它有單管式和對管(雙二極管)式兩種封裝形式。肖特基對管又有共陰(兩管的負極相連)、共陽(兩管的正極相連)和串聯(lián)(一只二極管的正極接另一只二極管的負極)三種管腳引出方式。

ASEMI肖特基二極管與普通二極管之間有什么區(qū)別？

肖特基二極管（Schottky）的特點是正向壓降 VF 比較小。

在同樣電流的情況下，它的正向壓降要小許多。

另外它的恢復(fù)時間短。它也有一些缺點：耐壓比較低，漏電流稍大些。比較適用大電流低電壓場合。

在高電壓整流電路應(yīng)用時，還是應(yīng)該選用普通PN結(jié)整流二極管。希望ASEMI可以幫助你！

關(guān)于肖特基二極管的應(yīng)用，ASEMI總結(jié)出以下幾點：

肖特基二極管是以金屬和半導(dǎo)體接觸形成的勢壘為基礎(chǔ)的二極管，簡稱肖特基二極管(Schottky Barrier Diode)，具有正向壓降低（0.4—1.0V）、反向恢復(fù)時間很短（0-10納秒），而且反向漏電流較大，耐壓低，一般低于150V，多用于低電壓場合。