Parylene HT，該材料具有更低的介電常數(shù)(即透波性能好)、好的穩(wěn)定性和防水、防霉、防鹽霧性能.短期耐溫可450攝氏度，長期耐溫

        CVD（Chemical Vapor Deition）法：將對二和水蒸氣按一定比例混合，經(jīng) 950~1000 °C高溫?zé)峤?，得到對二環(huán)二體(dimer)，隨后，經(jīng)提純的二聚體在 120°C 的升華區(qū)內(nèi)升華，在惰性氣體的推動下，二聚體進(jìn)入溫度為 660°C 的裂解區(qū)，高溫下二聚體的分子鍵斷裂，生成活性的對二活性單體(monomer)，后在惰性氣體氣的推動下，活性單體在常溫或較低溫度下的真空沉積室里，在相應(yīng)的基體材料的表面聚合沉積為parylene 薄膜。

原子層沉積是通過將氣相前驅(qū)體脈沖交替地通入反應(yīng)器并在沉積基體上化學(xué)吸附并反應(yīng)而形成沉積膜的一種方法（技術(shù)）。當(dāng)前驅(qū)體達(dá)到沉積基體表面，它們會在其表面化學(xué)吸附并發(fā)生表面反應(yīng)。在前驅(qū)體脈沖之間需要用惰性氣體對原子層沉積反應(yīng)器進(jìn)行清洗。由此可知沉積反應(yīng)前驅(qū)體物質(zhì)能否在被沉積材料表面化學(xué)吸附是實(shí)現(xiàn)原子層沉積的關(guān)鍵。氣相物質(zhì)在基體材料的表面吸附特征可以看出，任何氣相物質(zhì)在材料表面都可以進(jìn)行物理吸附，但是要實(shí)現(xiàn)在材料表面的化學(xué)吸附必須具有一定的活化能，因此能否實(shí)現(xiàn)原子層沉積，選擇合適的反應(yīng)前驅(qū)體物質(zhì)是很重要的。

       原子層沉積（ALD）是一種沉積原子級薄膜的技術(shù)，它是以一種連續(xù)脈沖的方式在樣品表面和反應(yīng)前驅(qū)體材料之間發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。與傳統(tǒng)的等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）技術(shù)相比，沉積速率相對較慢，但是它可在高深寬比的溝槽和通孔結(jié)構(gòu)上沉積均勻薄膜。另外，在原子層沉積過程中，樣品表面上沒有物理和電學(xué)損傷，而在PECVD過程中由于離子轟擊這種損傷卻不可避免。此外，通過使用不同的反應(yīng)材料可沉積各種薄膜（氧化物，氟化物，氮化物，金屬等）。

       派瑞林涂層薄膜的止回閥。微閥具有扭曲型的派瑞林涂層膜, 當(dāng)有流體順流時, 派瑞林涂層薄膜抬起, 允許流體通過; 當(dāng)有流體逆時,派瑞林涂層薄膜封住了通道阻止其流動。該結(jié)構(gòu)的微閥順流沖破壓力小于0. 5 kPa, 逆流的制止壓力達(dá)600 kPa以上, 同時具有較低的反向泄漏, 性能非常好。由于派瑞林涂層較小的楊氏模量, 產(chǎn)生了較大的變形, 基本可以忽略由薄膜引起的流體阻抗。單通道常閉微止回閥, 整個微閥和微通道都是由派瑞林涂層 C制成的, 其結(jié)構(gòu)為在圓形閥座上的一個圓形的密封板。密封板是固定在子腔薄膜的頂部中心, 由于大氣壓強(qiáng)使子腔壓縮到底部, 從而獲得微閥的閉合模式。這種新型的子腔結(jié)構(gòu)是通過沒有層結(jié)構(gòu)的釋放和在真空條件下派瑞林涂層薄膜的氣相沉積來實(shí)現(xiàn)的。通過減小密封板和閥座的重疊面積和濺射金屬金來減小靜摩擦力, 從而減小順流沖破壓力。此種結(jié)構(gòu)的微閥的順流沖破壓力為20～40 kPa, 在逆流壓力為270 kPa也不會出現(xiàn)可見的泄露現(xiàn)象。