密度大也使Cu／W具有對空間輻射總劑量(TID)環(huán)境的優(yōu)良屏蔽作用，因為要獲得同樣的屏蔽作用，使用的鋁厚度需要是Cu／W的16倍。 Cu基復(fù)合材料純銅具有較低的退火點，它制成的底座出現(xiàn)軟化可以導(dǎo)致芯片和／或基板開裂。新型的金屬封裝材料及其應(yīng)用除了Cu／W及Cu／Mo以外，傳統(tǒng)金屬封裝材料都是單一金屬或合金，它們都有某些不足，難以應(yīng)對現(xiàn)代封裝的發(fā)展?？煞タ煞ズ辖?Fe-29Ni-17Co，中國牌號4J29)的CTE與Si、GaAs以及Al2O3、BeO、AIN的CTE較為接近，具有良好的焊接性、加工性，能與硼硅硬玻璃匹配封接，在低功率密度的金屬封裝中得到廣泛的使用。但由于其熱導(dǎo)率低，電阻率高，密度也較大，使其廣泛應(yīng)用受到了很大限制。金屬基復(fù)合材料金屬封裝是采用金屬作為殼體或底座，芯片直接或通過基板安裝在外殼或底座上，引線穿過金屬殼體或底座大多采用玻璃—金屬封接技術(shù)的一種電子封裝形式。它廣泛用于混合電路的封裝，主要是和定制的專用氣密封裝，在許多領(lǐng)域，尤其是在軍事及航空航天領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。

 為了減少陶瓷基板上的應(yīng)力，設(shè)計者可以用幾個較小的基板來代替單一的大基板，分開布線。添加Al2O3后，熱導(dǎo)率稍有降低，為365W(m-1K-1)，電阻率略微提升，為1．85μΩ·cm，但抗拉強度獲得持續(xù)上升。退火的純銅由于機械性能差，很少使用。加工硬化的純銅雖然有較高的屈服強度，但在外殼制造或密封時不高的溫度就會使它退火軟化，在進行機械沖擊或恒定加速度試驗時造成外殼底部變形。 雖然設(shè)計者可以采用類似銅的辦法解決這個問題，但銅、鋁與芯片、基板嚴(yán)重的熱失配，給封裝的熱設(shè)計帶來很大困難，影響了它們的廣泛使用。1．2 鎢、鉬Mo的CTE為5．35×10-6K-1，與可伐和Al2O3非常匹配，它的熱導(dǎo)率相當(dāng)高，為138 W(m-K-1)，故常作為氣密封裝的底座與可伐的側(cè)墻焊接在一起，用在很多中、高功率密度的金屬封裝中.金屬封裝外殼壓鑄成型工藝：全壓鑄的工藝和塑料制品的生產(chǎn)流程十分相似，都是利用精密模具進行加工，只是材質(zhì)由塑料改成了融化的金屬；CNC與壓鑄結(jié)合工藝；

 這些材料不僅包括金屬封裝的殼體或底座、引線使用的金屬材料，也包括可用于各種封裝的基板、熱沉和散熱片的金屬材料，為適應(yīng)電子封裝發(fā)展的要求，國內(nèi)開展對金屬基復(fù)合材料的研究和使用將是非常重要的。這種材料已在金屬封裝中得到廣泛使用，如美國Sinclair公司在功率器件的金屬封裝中使用Glidcop代替無氧高導(dǎo)銅作為底座。銅、鋁純銅也稱之為無氧高導(dǎo)銅(OFHC)，電阻率1．72μΩ·cm，僅次于銀。美國Sencitron公司在TO-254氣密金屬封裝中使用陶瓷絕緣子與Glidcop引線封接。金屬封裝外殼CNC加工開始前，首先需要建模與編程。3D建模的難度由產(chǎn)品結(jié)構(gòu)決定，結(jié)構(gòu)復(fù)雜的產(chǎn)品建模較難，需要編程的工序也更多、更復(fù)雜。