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廢舊光伏輔料回收價(jià)格價(jià)格合理 振鑫焱光伏科技

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發(fā)布時(shí)間:2020-07-18 22:08  
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視頻作者:蘇州振鑫焱光伏科技有限公司






電池片常見(jiàn)異常情況處理方法

    振鑫焱光伏科技有限責(zé)任公司長(zhǎng)期購(gòu)置:天價(jià)回收硅片,電池片,初中級(jí)多晶硅,銀漿布,單晶硅,多晶硅,太陽(yáng)電池,太陽(yáng)能組件,太陽(yáng)能光伏板,顧客撤離,退級(jí),庫(kù)存量,El,欠佳檢測(cè),2手,舊工程項(xiàng)目,拆裝,道路路燈,拆卸發(fā)電廠,拆裝,人造板,層壓板,無(wú)界限結(jié)晶硅,多晶硅,單晶硅,試驗(yàn)板,負(fù)債還款,返修,太陽(yáng)能發(fā)電控制模塊收購(gòu)等。 

電池片普遍異?,F(xiàn)象解決方式 

堵網(wǎng): 

1、生產(chǎn)車(chē)間溫度、環(huán)境濕度與料漿特性緣故:若溫度高、空氣濕度低,料漿蒸發(fā)有機(jī)溶劑就迅速揮發(fā)掉,料漿黏度變大,進(jìn)而堵網(wǎng)。留意:停止時(shí)間太長(zhǎng),會(huì)造成堵網(wǎng),時(shí)間越久越比較嚴(yán)重。次之,工作溫度低,料漿流通性差也非常容易堵網(wǎng),因此嚴(yán)控生產(chǎn)車(chē)間溫度與環(huán)境濕度; 

2、網(wǎng)版:用收醇擦整潔并干躁側(cè)后方能應(yīng)用。若置放時(shí)間太久不立即包裝印刷,在儲(chǔ)存過(guò)程中就會(huì)黏附灰塵; 

3、包裝印刷工作壓力:包裝印刷工作壓力過(guò)大,會(huì)使刮條彎折,刮條與網(wǎng)版和基鋼板并不是線觸碰,而成面接觸,每一次包裝印刷都不可以將料漿刮整潔而留有殘留料漿,時(shí)間長(zhǎng)了就會(huì)堵網(wǎng); 

4、包裝印刷空隙有問(wèn)題:很小也非常容易堵網(wǎng);

5、料漿緣故:料漿顆粒物大,要保證充裕的拌和時(shí)間。




晶體硅電池片

振鑫焱光伏科技有限公司常年采購(gòu):高價(jià)回收硅片,電池片,初級(jí)多晶硅,銀漿布,單晶硅,多晶硅,太陽(yáng)能電池,光伏組件,太陽(yáng)能電池板,客戶撤退,降級(jí),庫(kù)存,El,不良測(cè)試,二手,舊工程,拆卸,路燈,拆解電站,拆卸,膠合板,層壓板,無(wú)邊界晶體硅,多晶硅,單晶硅,實(shí)驗(yàn)板,債務(wù)償還,返工,光伏模塊回收等。

晶體硅電池片


3) 尺寸:符合廠家提供要求± 0.5mm 尺寸

1)厚度偏差:電池厚度的測(cè)量值與標(biāo)稱厚度允許的大差值。

2)總厚度偏差:在一系列點(diǎn)的厚度(包含電極厚度)測(cè)量中,被測(cè)電池的大厚度與小厚度的差值。

4)彎曲度: 正放電池片于工作臺(tái)上,以塞尺測(cè)量電池的彎曲度,“ 125 片”的彎曲度不超過(guò) 0.75mm ,電池的彎曲變形,一般情況下,用電池的彎曲度來(lái)衡量,電池的彎曲度如下圖所示。

5 )電性能:按來(lái)料總數(shù)的千分之二比例進(jìn)行抽測(cè),功率偏差在合同約定范圍之內(nèi);

可焊性:用符合該電池片的互聯(lián)條,60w烙鐵,溫度 320—380 °。 將互聯(lián)條撕開(kāi)后,主柵線上留下均勻的銀錫合金,則認(rèn)為該電池片具有可焊性。

7 ) 細(xì)柵線印刷:用橡皮在同一位置來(lái)回擦 1 0 次,柵線不脫落則認(rèn)為合格。

8 ) 減反射膜 與基體材料的附著強(qiáng)度的測(cè)試采用膠帶試驗(yàn)測(cè)定粘合性的方法,膠帶附著強(qiáng)度不小于 44N/mm ,減反射膜不脫落。





電池片生產(chǎn)工藝流程

振鑫焱光伏科技有限責(zé)任公司長(zhǎng)期購(gòu)置:天價(jià)回收硅片,電池片,初中級(jí)光伏電池,銀漿布,單晶硅,光伏電池,太陽(yáng)能電池板,太陽(yáng)能組件,太陽(yáng)能光伏板,顧客撤離,退級(jí),庫(kù)存量,El,欠佳檢測(cè),二手,舊工程項(xiàng)目,拆裝,道路路燈,拆卸發(fā)電廠,拆裝,人造板,聚酰薄膜,無(wú)界限結(jié)晶硅,光伏電池,單晶硅,試驗(yàn)板,負(fù)債還款,返修,太陽(yáng)能發(fā)電控制模塊收購(gòu)等。 電池片生產(chǎn)流程 一 、 制絨 a. 目地 在硅單晶的表面產(chǎn)生坑凹狀表面,降低電池片的反射的自然光,提升二次反射的總面積。 一般狀況下,用堿解決是以便獲得金字塔狀磨砂皮;用酸處理是以便獲得蟲(chóng)孔狀磨砂皮。無(wú)論是哪樣磨砂皮,都能夠提升硅單晶的陷光功效。 b.步驟 1. 基本標(biāo)準(zhǔn)下,硅與單純性的HF、HNO 3 (硅表面會(huì)被鈍化處理,二氧化硅與HNO 3 不反映)覺(jué)得不是反映的。但在二種混和酸的管理體系中,硅則能夠與水溶液開(kāi)展不斷的反映 。 硅的氧化 氰化鈉/亞硝酸(HNO 2 )將硅氧化成二氧化硅(關(guān)鍵是亞硝酸將硅氧化) Si 4HNO 3 =SiO 2 4NO 2 2H 2 O (慢反映 3Si 4HNO 3 =3Si


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