氮化鈦的物理性質(zhì)：熔點(diǎn)2950.6～3205.8℃，線膨脹系數(shù)為5.712～7.053×106(1/K)(25℃)，密度為5.435～5.447g/cm3，熱導(dǎo)率為25.081(W·m-1·K-1)(300～2000℃)，莫氏硬度為8～9。一般情況下，氮化鈦粉末的顏色為黃褐色，顏色為黑色的是超細(xì)氮化鈦粉末，顏色為黃色的是氮化鈦晶體，大量聚集的氮化鈦晶體有金黃色金屬光澤。

氮化鈦的化學(xué)性質(zhì)：比較穩(wěn)定，與水和酸（鹽酸和硫酸）等均不發(fā)生反應(yīng)，但它能融入氫fu酸，若氫fu酸中含有氧化劑，則氮化鈦會(huì)完全溶解在氫fu酸中。氮化鈦溶解在強(qiáng)堿溶液中會(huì)分解并釋放出氨氣。 次數(shù)用完API KEY 超過(guò)次數(shù)限制

因此，如果要防止蒸發(fā)粒子的大量散射，在真空蒸發(fā)鍍膜設(shè)備中，真空鍍膜室的起始真空度必須高于10-2Pa。由于殘余氣體在蒸鍍過(guò)程中對(duì)膜層的影響很大，因此分析真空室內(nèi)殘余氣體的來(lái)源，借以消除殘余氣體對(duì)薄膜質(zhì)量的影響是重要的。真空室中殘余氣體分子的來(lái)源主要是真空鍍膜室內(nèi)表面上的解吸放氣、蒸發(fā)源釋放的氣體、抽氣系統(tǒng)的返流以及設(shè)備的漏氣等原因所造成的。若鍍膜設(shè)備的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及制造良好，則真空抽氣系統(tǒng)的返流及設(shè)備的漏氣并不會(huì)造成嚴(yán)重的影響。 次數(shù)用完API KEY 超過(guò)次數(shù)限制

殘余氣體分子撞擊著真空室內(nèi)的所有表面，包括正在生長(zhǎng)著的膜層表面。在室溫和10-4Pa壓力下的空氣環(huán)境中，形成單一分子層吸附所需的時(shí)間只有2.2s。可見，在蒸發(fā)鍍膜過(guò)程中，如果要獲得高純度的膜層，必須使膜材原子或分子到達(dá)基片上的速率大于殘余氣體到達(dá)基片上的速率，只有這樣才能制備出純度好的膜層。這一點(diǎn)對(duì)于活性金屬材料基片更為重要，因?yàn)檫@些金屬材料的清潔表面的粘著系數(shù)均接近于1。在10-2Pa～10-4Pa壓力下蒸發(fā)時(shí)，膜材蒸汽分子與殘余氣體分子到達(dá)基片上的數(shù)量大致相等，這必將影響制備的膜層質(zhì)量。 次數(shù)用完API KEY 超過(guò)次數(shù)限制

在信息存儲(chǔ)領(lǐng)域中薄膜材料作為信息記錄于存儲(chǔ)介質(zhì)，有其得天獨(dú)厚的優(yōu)勢(shì)：由于薄膜很薄，可以忽略渦流損耗；磁化反轉(zhuǎn)極為迅速；與膜面平行的雙穩(wěn)態(tài)狀態(tài)容易保持等。為了更精密地記錄與存儲(chǔ)信息，必然要采用鍍膜技術(shù)。13.在傳感器方面在傳感器中，多采用那些電氣性質(zhì)相對(duì)于物理量、化學(xué)量及其變化來(lái)說(shuō)，極為敏感的半導(dǎo)體材料。此外，其中，大多數(shù)利用的是半導(dǎo)體的表面、界面的性質(zhì)，需要盡量增大其面積，且能工業(yè)化、低價(jià)格制作，因此，采用薄膜的情況很多。14.在集成電路制造中晶體管路中的保護(hù)層（SiO2、Si3N4）、電極管線（多晶硅、鋁、銅及其合金）等，多是采用CVD技術(shù)、PVCD技術(shù)、真空蒸發(fā)金屬技術(shù)、磁控濺射技術(shù)和射頻濺射技術(shù)。可見，氣相沉積是制備集成電路的核心技術(shù)之一。 次數(shù)用完API KEY 超過(guò)次數(shù)限制