晶格有序度的均勻性：

這決定了薄膜是單晶，多晶，非晶，是真空鍍膜技術(shù)中的熱點(diǎn)問題，具體見下。

主要分類有兩個(gè)大種類：

蒸發(fā)沉積鍍膜和濺射沉積鍍膜，具體則包括很多種類，包括真空離子蒸發(fā)，磁控濺射，MBE分子束外延，溶膠凝膠法等等

一、對(duì)于蒸發(fā)鍍膜：

一般是加熱靶材使表面組分以原子團(tuán)或離子形式被蒸發(fā)出來，并且沉降在基片表面，通過成膜過程(散點(diǎn)-島狀結(jié)構(gòu)-迷走結(jié)構(gòu)-層狀生長(zhǎng))形成薄膜。

厚度均勻性主要取決于：

1、基片材料與靶材的晶格匹配程度

2、基片表面溫度

3、蒸發(fā)功率，速率

4、真空度

5、鍍膜時(shí)間，厚度大小。

組分均勻性：

蒸發(fā)鍍膜組分均勻性不是很容易保證，具體可以調(diào)控的因素同上，但是由于原理所限，對(duì)于非單一組分鍍膜，蒸發(fā)鍍膜的組分均勻性不好。

晶向均勻性：

1、晶格匹配度

2、基片溫度

3、蒸發(fā)速率

真空鍍膜技術(shù)是一種新穎的材料合成與加工的新技術(shù)，表面工程技術(shù)領(lǐng)域的重要組成部分。真空鍍膜技術(shù)是使置待鍍金屬和被鍍塑料制品位于真空室內(nèi)，采用一定方法加熱待鍍材料，使金屬蒸發(fā)或升華，金屬蒸汽遇到冷的塑料制品表面凝聚成金屬薄膜

在真空條件下可減少蒸發(fā)材料的原子、鍍膜公司分子在飛向塑料制品過程中和其他分子的碰撞，減少氣體中的活性分子和蒸發(fā)源材料間的化學(xué)反應(yīng)（如氧化等）

防水鍍膜機(jī)膜厚測(cè)量方法，涂層的鍍膜設(shè)備控制方法是直接的石英晶體微天平(QCM)的方法，該儀器可以直接驅(qū)動(dòng)的蒸發(fā)源，通過PID控制回路傳動(dòng)擋板，使蒸發(fā)率。只要儀器和系統(tǒng)控制軟件的連接，它可以控制涂層的全過程。真空電鍍適用范圍較廣，如ABS料、ABS PC料、PC料的產(chǎn)品。但(QCM)的準(zhǔn)確性是有限的，鍍膜機(jī)部分原因是其監(jiān)測(cè)代替光學(xué)厚度的涂層質(zhì)量。

此外，雖然QCM在低溫下非常穩(wěn)定，但溫度高，它將成為對(duì)溫度很敏感。在長(zhǎng)時(shí)間的加熱過程中，鍍膜機(jī)很難避免傳感器為敏感的區(qū)域，導(dǎo)致薄膜的重大錯(cuò)誤。 光學(xué)監(jiān)測(cè)是一種涂層優(yōu)選的監(jiān)控模式，鍍膜機(jī)這是因?yàn)樗軠?zhǔn)確控制膜的厚度(如果使用得當(dāng))。

Parylene在電子產(chǎn)品領(lǐng)域的優(yōu)點(diǎn):

防鹽霧，防氧化，防潮濕三防性能優(yōu)異同時(shí)在酷熱及低溫-270攝氏度條件下均保持良好的防護(hù)特性；

極低的介電常數(shù)和超薄的厚度，高頻損耗??；

*滲入芯片與基板間的微細(xì)間隙（甚至達(dá)10μm），提供完整的保護(hù)；

*大幅增強(qiáng)芯片-基板間導(dǎo)線（25μm粗細(xì)）的連接強(qiáng)度；

*超薄避免了溫度交變（-120~80）條件下涂層內(nèi)部應(yīng)力對(duì)電路及性能的影響；

*固定線路板上的金屬屑和焊粒，避免顆粒對(duì)電路的影響， 尤其是航天或軍事等維修困難的場(chǎng)合；

*在滿足涂層功能的同時(shí)，對(duì)基體的機(jī)械性能不產(chǎn)生影響

*真空鍍膜工藝大大減少觸摸對(duì)線路板的損害。

*固定焊點(diǎn)，減少虛焊脫落的概率