憑借較小的導(dǎo)通電阻及其在高溫下的性能

憑借較小的導(dǎo)通電阻及其在高溫下的性能，如今 SiC 已成為下一代低損耗開關(guān)和阻斷元件可行的候選材料。相較于硅器件，SiC 器件具有眾多優(yōu)勢，因為后者具有更高的擊穿電壓及其他特性，包括：臨界電場擊穿電壓更高，因而在給定的額定電壓下工作時漂移層更薄，大幅減小導(dǎo)通電阻。導(dǎo)熱率更高，因而在橫截面上可以實現(xiàn)更高的電流密度。帶隙更寬，因而高溫下的漏電流較小。因此，SiC 二極管和 FET 常稱為寬帶隙 (WBG) 器件。

高頻開關(guān)直流電源應(yīng)用特點

高頻開關(guān)直流電源應(yīng)用特點：1、降低孔隙率，晶核的形成速度大于成長速度，促使晶核細(xì)化。2、改善結(jié)合力，使鈍化膜擊穿，有利于基體與鍍層之間牢固的結(jié)合。3、改善覆蓋能力和分散能力，高的陰極負(fù)電位使普通電鍍中鈍化的部位也能沉積，減緩形態(tài)復(fù)雜零件的突出部位由于沉積離子過度消耗而帶來的“燒焦”“樹枝狀”沉積的缺陷，對于獲得一個給定特性鍍層（如顏色、無孔隙等）的厚度可減少到原來1/3~1/2，節(jié)省原材料。

240V高壓直流供電系統(tǒng)

240V高壓直流供電系統(tǒng)有著技術(shù)成熟、可靠性高、維護操作簡易、轉(zhuǎn)換、在線擴容簡單等優(yōu)點，通信業(yè)界一直在探討采用高壓直流系統(tǒng)來代替UPS系統(tǒng)。240V高壓直流供電系統(tǒng)具有明顯技術(shù)優(yōu)勢和價格優(yōu)勢，且能在沿用現(xiàn)有的IT設(shè)備的前提下推廣使用，因此得到了各級部門的廣泛重視和支持。240V高壓直流供電系統(tǒng)（HVDC）作為一項簡單、可靠的技術(shù)，減少了電力轉(zhuǎn)換環(huán)節(jié)，提高了供電可靠性和效率，受到了業(yè)界的廣泛關(guān)注。

12V基準(zhǔn)電壓通過電位器RP加到運放A1的同相輸入端

由穩(wěn)壓管VDw提供的12V基準(zhǔn)電壓通過電位器RP加到運放A1的同相輸入端，穩(wěn)壓電源的輸出電壓Vsc又反饋到A1的反相輸入端，當(dāng)Vsc發(fā)生變化時，它與同相輸入端電壓的差值被運放放大，以控制調(diào)整晶體管VT的基極電流，改變發(fā)射極與集電極間電壓降，從而使輸出電壓保持穩(wěn)定。此電路雖然簡單，但客服了取樣電阻分壓比對穩(wěn)定性的影響，在不同的Vsc時有同樣的反饋深度，且放大器的閉環(huán)增益為1，反饋深，Vsc的穩(wěn)定性好。又因為Vsc就等于同相輸入端電壓，調(diào)節(jié)電位器RP就可以使Vsc在0～12V范圍內(nèi)任意改變。