而在電路未啟動(dòng)之前，由于高壓端啟動(dòng)電阻的充電，可以將VCC上電容上的電壓充到IC啟動(dòng)的電壓，一旦電路有問(wèn)題一下啟動(dòng)不了VCC由于繞組電壓的預(yù)設(shè)值偏低。電路也是不會(huì)啟動(dòng)的，一般表現(xiàn)為嗝狀態(tài)?！駷楹我凑誌C的工作電壓低端取值？因?yàn)槲覀兇渭?jí)繞組是與初級(jí)繞組相鄰繞制的，耦合效果相對(duì)而言是的。我們做短路試驗(yàn)也是做次級(jí)的輸出短路，因?yàn)轳詈闲Ч茫渭?jí)短路時(shí)VCC在經(jīng)過(guò)短暫的上沖后會(huì)快速降低，降到IC的關(guān)閉電壓時(shí)電路得到的保護(hù)。需要注意這個(gè)電壓需要高于MOSFET飽和導(dǎo)通1V以上，避免驅(qū)動(dòng)不足。

同時(shí)也需確認(rèn)所制定的規(guī)則是否符合印制板生產(chǎn)工藝的需求，一般檢查線與線、線與元件焊盤(pán)、線與貫通孔、元件焊盤(pán)與貫通孔、貫通孔與貫通孔之間的距離是否合理，是否滿足生產(chǎn)要求。電源線和地線的寬度是否合適，在PCB中是否還有能讓地線加寬的地方。注意：有些錯(cuò)誤可以忽略，例如有些接插件的Outline的一部分放在了板框外，檢查間距時(shí)會(huì)出錯(cuò)；另外每次修改過(guò)走線和過(guò)孔之后，都要重新覆銅一次。復(fù)查根據(jù)“PCB檢查表”，內(nèi)容包括設(shè)計(jì)規(guī)則，層定義、線寬、間距、焊盤(pán)、過(guò)孔設(shè)置，還要重點(diǎn)復(fù)查器件布局的合理性，電源、地線網(wǎng)絡(luò)的走線，高速時(shí)鐘網(wǎng)絡(luò)的走線與屏蔽，去耦電容的擺放和連接等。


例如ESD 雷擊等，一定要打到產(chǎn)品損壞為止，并做好相關(guān)記錄，看產(chǎn)品余量有多少，做到心中有數(shù) 28.電路設(shè)計(jì)，異常測(cè)試時(shí)，短路開(kāi)路某個(gè)元件如果還有輸出電壓則要進(jìn)行LPS測(cè)試，過(guò)流點(diǎn)不能超過(guò)8A。 超過(guò)8A是不能申請(qǐng)LPS的 29.安規(guī)開(kāi)殼樣機(jī)，所有可選插件元件要裝上供拍照用，L、N線和DC線與PCB要點(diǎn)白膠固定。 這個(gè)是經(jīng)常犯的一個(gè)毛病，經(jīng)常一股勁的把樣品送到第三方機(jī)構(gòu)，后面來(lái)來(lái)回回改來(lái)改去的 30.電路調(diào)試，冷機(jī)時(shí)PSR需1.15倍電流能開(kāi)機(jī)，SSR需1.3倍電流能開(kāi)機(jī)，避免老化后啟動(dòng)不良 PSR現(xiàn)在很多芯片都可以實(shí)現(xiàn)“零恢復(fù)”O(jiān)CP電流，比如ME8327N，具有“零恢復(fù)”O(jiān)CP電流功能


如反激一次側(cè)的高壓MOS的D、S之間距離，依據(jù)公式500V對(duì)應(yīng)0.85mm，DS電壓在700V以下是0.9mm，考慮到污染和潮濕，一般取1.2mm 54.如果TO220封裝的MOS的D腳串了磁珠，需要考慮T腳增加安全距離。 之前碰到過(guò)炸機(jī)現(xiàn)象，增加安全距離后解決了，因?yàn)榇胖槿菀渍瓷蠚埩粑?55.發(fā)一個(gè)驗(yàn)證VCC的土方法，把產(chǎn)品放低溫環(huán)境（冰箱）幾分鐘，測(cè)試VCC波形電壓有沒(méi)有觸發(fā)到芯片欠壓保護(hù)點(diǎn)。 小公司設(shè)備沒(méi)那么全，有興趣的可以做個(gè)對(duì)比，看看VCC差異有多大關(guān)于VCC圈數(shù)的設(shè)計(jì)需要考慮很多因素 56.在變壓器底部PCB加通風(fēng)孔，有利于散熱，小板也一樣，要考慮風(fēng)路。