方箱PECVD簡(jiǎn)介

該系統(tǒng)為單室薄膜太陽(yáng)電池等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）工藝研發(fā)設(shè)備，用來(lái)在硅片上沉積SiOx、SiNx、非晶硅、多晶硅、碳材料等薄膜，鍍膜樣品為156×156mm基片（并向下兼容）。

設(shè)備概述：

1.系統(tǒng)采用單室方箱式結(jié)構(gòu)，手動(dòng)前開(kāi)門(mén)；

2.真空室:尺寸為350mm×350×280mm；

3.極限真空度：≤6.67x10-4 Pa (經(jīng)烘烤除氣后，采用分子泵抽氣)；

系統(tǒng)真空檢漏漏率：≤5.0x10-7Pa.l/S； 系統(tǒng)從大氣開(kāi)始抽氣到5.0x10-3 Pa，35分鐘可達(dá)到

（采用分子泵抽氣，分子泵不配，預(yù)留分子泵接口)； 停泵關(guān)機(jī)12小時(shí)后真空度：≤5 Pa（采用分子

泵抽氣，分子泵不配，預(yù)留分子泵接口)；

4.采用樣品在下，噴淋頭在上噴淋式進(jìn)氣方式；

5.樣品加熱加熱溫度：300℃，溫控精度：±1°C，采用日本進(jìn)口控溫表進(jìn)行控溫；

6.噴淋頭尺寸：200×200mm，噴淋頭與樣品之間電極間距20-80mm連續(xù)可調(diào)；

7. 沉積工作真空：13-1300Pa；

8.氣路設(shè)有勻氣系統(tǒng)，真空室內(nèi)設(shè)有保證抽氣均勻性抽氣裝置；

9.射頻電源：頻率 13.56MHz，功率500W，全自動(dòng)匹配；

10.SiH4、NH3、CO2、N2、H2、PH3、B2H6、七路氣體，共計(jì)使用7個(gè)質(zhì)量流量控制器控制進(jìn)氣。

11. 系統(tǒng)設(shè)有尾氣處理系統(tǒng)(高溫裂解方式)。

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什么是化學(xué)氣相沉積？

化學(xué)氣相沉積是一種化工技術(shù)，該技術(shù)主要是利用含有薄膜元素的一種或幾種氣相化合物或單質(zhì)、在襯底表面上進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)生成薄膜的方法?；瘜W(xué)氣相淀積是近幾十年發(fā)展起來(lái)的制備無(wú)機(jī)材料的新技術(shù)。化學(xué)氣相淀積法已經(jīng)廣泛用于提純物質(zhì)、研制新晶體、淀積各種單晶、多晶或玻璃態(tài)無(wú)機(jī)薄膜材料。這些材料可以是氧化物、硫化物、氮化物、碳化物，也可以是III-V、II-IV、IV-VI族中的二元或多元的元素間化合物，而且它們的物理功能可以通過(guò)氣相摻雜的淀積過(guò)程準(zhǔn)確控制。化學(xué)氣相淀積已成為無(wú)機(jī)合成化學(xué)的一個(gè)新領(lǐng)域。等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）技術(shù)是借助于輝光放電等離子體使含有薄膜組成的氣態(tài)物質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而實(shí)現(xiàn)薄膜材料生長(zhǎng)的一種新的制備技術(shù)。

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化學(xué)氣相沉積技術(shù)在材料制備中的使用

化學(xué)氣相沉積技術(shù)生產(chǎn)多晶/非晶材料膜：

化學(xué)氣相沉積法在半導(dǎo)體工業(yè)中有著比較廣泛的應(yīng)用。比如作為緣介質(zhì)隔離層的多晶硅沉積層。在當(dāng)代，微型電子學(xué)元器件中越來(lái)越多的使用新型非晶態(tài)材料，這種材料包括磷硅玻璃、硼硅玻璃、SiO2以及 Si3N4等等。此外，也有一些在未來(lái)有可能發(fā)展成開(kāi)關(guān)以及存儲(chǔ)記憶材料，例如氧化銅-氧化銅等都可以使用化學(xué)氣相沉積法進(jìn)行生產(chǎn)。等離子體化學(xué)氣相沉積技術(shù)的基本原理是在高頻或直流電場(chǎng)作用下，源氣體電離形成等離子體，利用低溫等離子體作為能量源，通入適量的反應(yīng)氣體，利用等離子體放電，使反應(yīng)氣體激發(fā)并實(shí)現(xiàn)化學(xué)氣相沉積的技術(shù)。

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