ASEMI肖特基二極管BD10100CT

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ASEMI肖特基二極管BD10100CT 電性參數(shù):10A，100V，其封裝為TO-251封裝，是一款80％采用俄羅斯米克朗（Mikron）高抗沖擊能力芯片及20％采用國內(nèi)先進(jìn)的SCHOTTKY生產(chǎn)廠家立昂（Lion）芯片為基材的肖特基二極管，從根本上保證了其效率穩(wěn)定持續(xù)工作的性能，而其黑膠部分采用進(jìn)口環(huán)氧塑脂材質(zhì)，加強(qiáng)了它的包封性能和阻燃性能；在引腳及框架方面，更是采用無縫焊接技術(shù)加粗設(shè)計(jì)，使其擁有更強(qiáng)的減少氧化、抗彎曲和導(dǎo)電性能，如此多的優(yōu)越材質(zhì)集一身，怎能不耀眼呢？

?MBR60200PT肖特基二極管ASEMI

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ASEMI肖特基二極管MBR60200PT屬于大功率產(chǎn)品要用大電流的肖特基二極管來起整流的作用，這也是現(xiàn)在越來越多的工程師設(shè)計(jì)選擇思路具有正向整流輸出大電流.

MBR60200PT肖特基二極管     ASEMI導(dǎo)讀:

型號：MBR60200PT                 品牌：ASEMI

封裝：TO-247/3P                  特性：肖特基二極管

★電性參數(shù)：60A，200V            ★芯片材質(zhì)：SI

★正向電流(Io)：60A              ★芯片個(gè)數(shù)：2

★正向電壓(VF)：0.89V            ★芯片尺寸：150MIL

★浪涌電流Ifsm：200A             ★是否進(jìn)口：否

★漏電流(Ir)：10UA               ★工作溫度：-50~125

★恢復(fù)時(shí)間(Trr)：<5nS            ★引線數(shù)量：3

ASEMI低壓降肖特基二極管10V45

ASEMI低壓降肖特基二極管10V45，電性參數(shù)為10A 45V，是手機(jī)充電器品牌，ASEMI半導(dǎo)體采用的第三代芯片制造工藝，所產(chǎn)芯片性能穩(wěn)定，可靠性高，目前ASEMI半導(dǎo)體擁有先進(jìn)的半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝和臺灣健鼎一體化自動測試設(shè)備，產(chǎn)品合格率達(dá)99%。

ASEMI低壓降肖特基二極管作為未來高頻整流器件采納的典型代表，越來越多的被電源工程師門認(rèn)可。那么問題了，為什么越來越多的客戶愿意選擇ASEMI品牌低壓降二極管呢？其實(shí)臺灣ASEMI品牌作為低壓降肖特基二極管行業(yè)旗幟。