氣壓燒結(jié)法(GPS)獲得很大的進(jìn)展

氣壓燒結(jié)法（ GPS)

近幾年來(lái),人們對(duì)氣壓燒結(jié)進(jìn)行了大量的研究，獲得了很大的進(jìn)展。而且它還能抵抗冷熱沖擊，在空氣中加熱到1000℃以上，急劇冷卻再急劇加熱，也不會(huì)碎裂。氣壓燒結(jié)氮化硅在1 ～10MPa氣壓下，2000℃左右溫度下進(jìn)行。高的氮?dú)鈮嚎刂屏说璧母邷胤纸?。由于采用高溫?zé)Y(jié)，在添加較少燒結(jié)助劑情況下，也足以促進(jìn)Si3N4晶粒生長(zhǎng)，而獲得密度> 99%的含有原位生長(zhǎng)的長(zhǎng)柱狀晶粒高韌性陶瓷. 因此氣壓燒結(jié)無(wú)論在實(shí)驗(yàn)室還是在生產(chǎn)上都得到越來(lái)越大的重視. 氣壓燒結(jié)氮化硅陶瓷具有高韌性、高強(qiáng)度和好的耐磨性，可直接制取接近終形狀的各種復(fù)雜形狀制品，從而可大幅度降低生產(chǎn)成本和加工費(fèi)用. 而且其生產(chǎn)工藝接近于硬質(zhì)合金生產(chǎn)工藝，適用于大規(guī)模生產(chǎn)。

氮化硅磚是指以氧化鎂(MgO)和三氧化二鉻(Cr2O3)為主

氮化硅磚就是指以氧化鎂(MgO)和三氧化二鉻(Cr2O3)為主要成分，方鎂石和尖晶石為關(guān)鍵礦物質(zhì)成分的耐火保溫材料產(chǎn)品。普通輕質(zhì)隔熱耐火磚消費(fèi)的材質(zhì)有粘土質(zhì)、高鋁質(zhì)高強(qiáng)漂珠磚，低鐵莫來(lái)石、高鋁聚輕隔熱耐火磚，硅藻土隔熱耐火磚。這種磚耐火度高，高溫抗壓強(qiáng)度大，抗偏堿渣侵蝕性強(qiáng)，熱穩(wěn)定性，對(duì)酸性渣也是有一定的適應(yīng)能力。氮化硅（Si3N4）存有有3種結(jié)晶體構(gòu)造，分別是α、β和γ三相。制得方式氮化硅磚選用硅粉滲氮后煅燒或壓合方式制得。燒造氮化硅磚的生產(chǎn)工藝流程與鎂質(zhì)磚大致差不多。以便清除磚在燒制全過(guò)程中因?yàn)镸gO和Cr2O3、Al2O3或立即融合氮化硅磚。優(yōu)勢(shì)氮化硅磚耐火度高，高溫抗壓強(qiáng)度大，抗偏堿渣侵蝕性強(qiáng)，熱穩(wěn)定性，對(duì)酸性渣也是有一定的適應(yīng)能力。運(yùn)用用以航空公司、冶金工業(yè)、機(jī)械設(shè)備、半導(dǎo)體材料等工業(yè)生產(chǎn)中生產(chǎn)制造高溫滾動(dòng)軸承、冶金工業(yè)鉗鍋、半導(dǎo)體材料地區(qū)冶煉舟器等。氮化硅是一種關(guān)鍵的構(gòu)造結(jié)構(gòu)陶瓷。它是一種超硬化學(xué)物質(zhì)，自身具備潤(rùn)濕性，而且抗磨損，為原子晶體；高溫時(shí)。并且它還能抵御熱冷沖擊性，在空氣中加溫到1000℃之上，大幅度制冷再大幅度加溫，也不會(huì)。

耐火材料一般分為兩種,即不定型

耐火材料一般分為兩種，即不定型耐火材料和定型耐火材料。熱壓燒結(jié)法（HPS)是將Si3N4粉末和少量添加劑（如MgO、Al2O3、MgF2、Fe2O3等），在1916MPa以上的壓強(qiáng)和1600℃以上的溫度進(jìn)行熱壓成型燒結(jié)。不定型耐火材料也叫澆注料，是由多種骨料或集料和一種或多種粘和劑組成的混合粉狀顆料，使用時(shí)需要和一種或多種液體配合攪拌均勻，具有較強(qiáng)的流動(dòng)性。定型耐火材料一般指耐火磚，其形狀有標(biāo)準(zhǔn)規(guī)則，也可以根據(jù)需要筑切時(shí)臨時(shí)加工。反應(yīng)燒結(jié)法（ RS)是采用一般成型法，先將硅粉壓制成所需形狀的生坯，放入氮化爐經(jīng)預(yù)氮化（部分氮化）燒結(jié)處理，預(yù)氮化后的生坯已具有一定的強(qiáng)度，可以進(jìn)行各種機(jī)械加工（如車(chē)、刨、銑、鉆).。然后，在硅熔點(diǎn)的溫度以上；將生坯再一次進(jìn)行完全氮化燒結(jié)，得到尺寸變化很小的產(chǎn)品（即生坯燒結(jié)后，收縮率很小，線收縮率< 011% ). 該產(chǎn)品一般不需研磨加工即可使用。常壓燒結(jié)法（ PLS)在提高燒結(jié)氮?dú)夥諌毫Ψ矫?，利用Si3N4 分解溫度升高（通常在N2 = 1atm氣壓下，從1800℃開(kāi)始分解）的性質(zhì)，在1700———1800℃溫度范圍內(nèi)進(jìn)行常壓燒結(jié)后，再在1800———2000℃溫度范圍內(nèi)進(jìn)壓燒結(jié)。該法目的在于采用氣壓能促進(jìn)Si3N4 陶瓷組織致密化，從而提高陶瓷的強(qiáng)度.所得產(chǎn)品的性能比熱壓燒結(jié)略低。氣壓燒結(jié)法（ GPS)近幾年來(lái),人們對(duì)氣壓燒結(jié)進(jìn)行了大量的研究，獲得了很大的進(jìn)展。氣壓燒結(jié)氮化硅在1 ～10MPa氣壓下，2000℃左右溫度下進(jìn)行。高的氮?dú)鈮嚎刂屏说璧母邷胤纸?。由于采用高溫?zé)Y(jié)，在添加較少燒結(jié)助劑情況下，也足以促進(jìn)Si3N4晶粒生長(zhǎng)，而獲得密度> 99%的含有原位生長(zhǎng)的長(zhǎng)柱狀晶粒高韌性陶瓷。