刻蝕機

刻蝕精度主要是用保真度、選擇比、均勻性等參數(shù)來衡量。所謂保真度度，就是要求把光刻膠的圖形轉移到其下的薄膜上，即希望只刻蝕所要刻蝕的薄膜，而對其上的掩膜和其下的襯底沒有刻蝕。事實上，以上三個部分都會被刻蝕，只是刻蝕速率不同。選擇比就是用來衡量這一指標的參數(shù)。S=V/U（V為對薄膜的刻蝕速率，U為對掩膜或襯底的刻蝕速率），S越大則選擇比越好。由于跨越整個硅片的薄膜厚度和刻蝕速率不盡相同，從而也導致圖形轉移的不均勻，等離子刻蝕機尤其是中心和邊緣相差較大。因而均勻性成為衡量這一指標的重要參數(shù)。除以上參數(shù)外，刻蝕速率也是一個重要指標，它用來衡量硅片的產(chǎn)出速度，刻蝕速率越快，則產(chǎn)出率越高。

本產(chǎn)品信息有創(chuàng)世威納提供，如果您想了解更多產(chǎn)品信息您可撥打圖片上的電話進行咨詢！

離子束刻蝕常見的效應

刻蝕的理想結果是將掩模(mask)的圖形準確地轉移到基片_上，尺寸沒有變化。由于物理濺射的存在，掩模本身的不陡直和濺射產(chǎn)額隨離子束入射角變化等原因，產(chǎn)生了刻面( Faceting)、槽底開溝(Trenching or Ditching) 和再沉積等現(xiàn)象，這些效應的存在降低了圖形轉移精度。

想要了解更多離子束刻蝕機的相關信息，歡迎撥打圖片上的熱線電話！

離子束刻蝕機

離子束刻蝕是通過物理濺射功能進行加工的離子銑。國內(nèi)應用廣泛的雙柵考夫曼刻蝕機通常由屏柵和加速柵組成離子光學系統(tǒng)，其工作臺可以方便地調(diào)整傾角，使碲鎘gong基片法線與離子束的入射方向成θ角，并繞自身的法線旋轉，如圖1所示。評價溝槽輪廓主要的參數(shù)有溝槽的開口寬度We、溝槽的刻蝕深度H、臺面的坡度角φ和溝槽底部的寬度Wb。我們常用的深寬比（Aspectratio）是指槽深H和槽開口寬度We的比值，本文中用R表示。深寬比是常用來作為衡量刻蝕工藝水平和刻蝕圖形好壞的評價參數(shù)。

離子束

1.蝕刻加工：離子蝕刻用于加工陀螺儀空氣軸承和動壓馬達上的溝槽，分辨率高，精度、重復一致性好。離子束蝕刻應用的另一個方面是蝕刻圖形，如集成電路、光電器件和光集成器件等征電子學構件。太陽能電池表面具有非反射紋理表面。離子束蝕刻還應用于減薄材料，制作穿透式電子顯微鏡試片。2.離子束鍍膜加工：離子束鍍膜加工有濺射沉積和離子鍍兩種形式。離子鍍可鍍材料范圍廣泛，不論金屬、非金屬表面上均可鍍制金屬或非金屬薄膜，各種合金、化合物、或某些合成材料、半導體材料、高熔點材料亦均可鍍覆。