刻蝕工藝過(guò)程

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等離子體刻蝕工藝包括以下六個(gè)步驟。 分離： 氣體由等離子體分離為可化學(xué)反應(yīng)的元素； 擴(kuò)散： 這些元素?cái)U(kuò)散并吸附到硅片表面； 表面擴(kuò)散：到達(dá)表面后， 四處移動(dòng)； 反應(yīng)： 與硅片表面的膜發(fā)生反應(yīng)； 解吸： 反應(yīng)的生成物解吸， 離開(kāi)硅片表面； 排放： 排放出反應(yīng)腔。

反應(yīng)性離子刻蝕

以下是創(chuàng)世威納為您一起分享的內(nèi)容，創(chuàng)世威納專(zhuān)業(yè)生產(chǎn)反應(yīng)性離子刻蝕機(jī)，歡迎新老客戶(hù)蒞臨。

反應(yīng)性離子刻蝕 （reaction ionetching；RIE）是制作半導(dǎo)體集成電路的蝕刻工藝之一。在除去不需要的集成電路板上的保護(hù)膜時(shí)，利用反應(yīng)性氣體的離子束，切斷保護(hù)膜物質(zhì)的化學(xué)鍵，使之產(chǎn)生低分子物質(zhì)，揮發(fā)或游離出板面，這樣的方法稱(chēng)為反應(yīng)性離子刻蝕。

離子束刻蝕機(jī)

離子束分析具有一定能量的離子與物質(zhì)相互作用會(huì)使其發(fā)射電子、光子、X射線(xiàn)等，還可能發(fā)生彈性散射、非彈性散射以及核反應(yīng)，產(chǎn)生反彈離子、反沖核、γ射線(xiàn)、氫核、氚核、粒子等核反應(yīng)產(chǎn)物，可以提供有關(guān)該物質(zhì)的組分、結(jié)構(gòu)和狀態(tài)等信息。利用這些信息來(lái)分析樣品統(tǒng)稱(chēng)離子束分析。在離子束分析方法中，比較成熟的有背散射分析X射線(xiàn)熒光分析、核反應(yīng)分析和溝道效應(yīng)（見(jiàn)溝道效應(yīng)和阻塞效應(yīng)）與其他分析相結(jié)合的分析方法等。此外，利用低能離子束還可作表面成分分析,如離子散射譜(ZSS)、次級(jí)離子質(zhì)譜(SZMS)等。超靈敏質(zhì)譜（質(zhì)譜）、帶電粒子活化分析、離子激發(fā)光譜、離子激發(fā)俄歇電子譜等正在發(fā)展中。用于離子束分析的MV級(jí)已有專(zhuān)門(mén)的商業(yè)化設(shè)備。