化學(xué)氣相沉積技術(shù)類型介紹

想了解更多關(guān)于化學(xué)氣相沉積的相關(guān)資訊，請持續(xù)關(guān)注本公司。

化學(xué)氣相沉積裝置主要的元件就是反應(yīng)器。按照反應(yīng)器結(jié)構(gòu)上的差別，我們可以把化學(xué)氣相沉積技術(shù)分成開管/封管氣流法兩種類型：

1 封管法這種反應(yīng)方式是將一定量的反應(yīng)物質(zhì)和集體放置于反應(yīng)器的兩邊，將反應(yīng)器中抽成真空， 再向其中注入部分輸運氣體，然后再次密封， 再控制反應(yīng)器兩端的溫度使其有一定差別，它的優(yōu)點是：①能有效夠避免外部污染；②無須持續(xù)抽氣就能使是內(nèi)部保持真空。

2 開管法這種制備方法的特點是反應(yīng)氣體混合物能夠隨時補充。廢氣也可以及時排出反應(yīng)裝置。以加熱方法為區(qū)分，開管氣流法應(yīng)分為熱壁和冷壁兩種。前者的加熱會讓整個沉積室壁都會因此變熱，所以管壁上同樣會發(fā)生沉積。如需了解更多化學(xué)氣相沉積的相關(guān)信息，歡迎關(guān)注沈陽鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司網(wǎng)站或撥打圖片上的熱點電話，我司會為您提供專業(yè)、周到的服務(wù)。冷壁式加熱一般會使用感應(yīng)加熱、通電加熱以及紅外加熱等等。

化學(xué)氣相沉積技術(shù)的使用

生產(chǎn)晶須：

晶須屬于一種以為發(fā)育的單晶體，它在符合材料范疇中有著很大的作用，能夠用于生產(chǎn)一些新型復(fù)合材料。 化學(xué)氣相沉積法在生產(chǎn)晶須時使用的是金屬鹵化物的氫還原性質(zhì)。化學(xué)氣相沉積法不但能制備出各類金屬晶須，同時也能生產(chǎn)出化合物晶須，比如氧化鋁、金剛砂、碳化鈦晶須等等。等離子體處理時的熱負(fù)荷及機械負(fù)荷都很低，因此，低壓等離子體也能處理敏感性材料。

想要了解更多沈陽鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司的相關(guān)信息，歡迎撥打圖片上的熱線電話！

化學(xué)氣相沉積的特點有哪些？

?  高溫石英管反應(yīng)器設(shè)計

?  溫度范圍：室溫到1100度

?  多路氣體準(zhǔn)確控制

?  標(biāo)準(zhǔn)氣壓計

?  易于操作

?  可配機械泵實現(xiàn)低壓TCVD

?  可用于制備金屬氧化物、氮化物、碳化物、金屬薄膜

?  液體前驅(qū)體噴頭

沈陽鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司本著多年化學(xué)氣相沉積行業(yè)經(jīng)驗，專注化學(xué)氣相沉積研發(fā)定制與生產(chǎn)，先進(jìn)的化學(xué)氣相沉積生產(chǎn)設(shè)備和技術(shù)，建立了嚴(yán)格的產(chǎn)品生產(chǎn)體系，想要更多的了解，歡迎咨詢圖片上的熱線電話?。?！

等離子體增強化學(xué)氣相沉積的主要過程

沈陽鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司專業(yè)生產(chǎn)、銷售化學(xué)氣相沉積，我們?yōu)槟治鲈摦a(chǎn)品的以下信息。

等離子體增強化學(xué)氣相沉積（PECVD）技術(shù)是借助于輝光放電等離子體使含有薄膜組成的氣態(tài)物質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而實現(xiàn)薄膜材料生長的一種新的制備技術(shù)。由于PECVD技術(shù)是通過應(yīng)氣體放電來制備薄膜的，有效地利用了非平衡等離子體的反應(yīng)特征，從根本上改變了反應(yīng)體系的能量供給方式。如果經(jīng)過檢驗，任何一個邊沿沒有刻蝕合格，則這一批硅片需要重新裝片，進(jìn)行刻蝕。一般說來,采用PECVD技術(shù)制備薄膜材料時，薄膜的生長主要包含以下三個基本過程：

首先，在非平衡等離子體中，電子與反應(yīng)氣體發(fā)生初級反應(yīng)，使得反應(yīng)氣體發(fā)生分解，形成離子和活性基團(tuán)的混合物；

其二，各種活性基團(tuán)向薄膜生長表面和管壁擴(kuò)散輸運，同時發(fā)生各反應(yīng)物之間的次級反應(yīng)；

然后，到達(dá)生長表面的各種初級反應(yīng)和次級反應(yīng)產(chǎn)物被吸附并與表面發(fā)生反應(yīng)，同時伴隨有氣相分子物的再放出。