脈沖激光沉積介紹

脈沖激光沉積系統(tǒng)具有獨(dú)特的優(yōu)越性。它可以把激光燒蝕技術(shù)和我們所擁有的其他沉積技術(shù)（如RF源）集成于一臺(tái)設(shè)備上。可以生長(zhǎng)各種可能的材料。

● 配有6個(gè)旋轉(zhuǎn)靶臺(tái)，實(shí)現(xiàn)多層薄膜結(jié)構(gòu)生長(zhǎng)。

● 可與準(zhǔn)分子激光和Yag激光相連。

● 在線監(jiān)控儀器做為可選件，為客戶提供高質(zhì)量的工藝信息反饋。

● 裝載室不但可以裝取樣品，還可以與其他生長(zhǎng)設(shè)備或分析設(shè)備相連。

應(yīng)用

● 多元素復(fù)合氧化物

● 高溫超導(dǎo)材料

● 磁性材料、金屬材料

● 低蒸汽壓材料

● MEMS

期望大家在選購(gòu)脈沖激光沉積時(shí)多一份細(xì)心，少一份浮躁，不要錯(cuò)過(guò)細(xì)節(jié)疑問(wèn)。想要了解更多脈沖激光沉積的相關(guān)資訊，歡迎撥打圖片上的熱線電話！??！

脈沖激光沉積(PLD)簡(jiǎn)介

隨著新型氧化物/氮化物的研究和發(fā)展，用于沉積它們的外延生長(zhǎng)設(shè)備：脈沖激光沉積(PLD)和由其衍生的生長(zhǎng)技術(shù)也越來(lái)越受到科研工作者的重視和青睞。PLD是近年來(lái)發(fā)展起來(lái)的一種真空物理沉積工藝，具有襯底溫度較低，而且采用光學(xué)系統(tǒng)、非接觸加熱和避免不必要的玷污等特點(diǎn)。PLD還有一個(gè)很大的優(yōu)點(diǎn)，即能夠通入較高的氧分壓(1 ~ 50 mTorr)，特別適于氧化物的生長(zhǎng)。但是PLD方法無(wú)法準(zhǔn)確控制膜厚，不可能制備原子層尺度的超薄型薄膜和超晶格材料。

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脈沖激光沉積系統(tǒng)(PLD)

技術(shù)參數(shù)：

1. 靶：數(shù)量6個(gè)，大小1-2英寸，被激光照射時(shí)可自動(dòng)旋轉(zhuǎn)，靶的選擇可通過(guò)步進(jìn)電機(jī)控制。

2. 基板：采用適合于氧氣環(huán)境鉑金加熱片，大小2英寸，加熱溫度可達(dá)1200攝氏度，溫度差<3%，加熱時(shí)基板可旋轉(zhuǎn)，工作環(huán)境最大壓力是300mtorr。

3. 基板加熱電源。

4. 超高真空成膜室腔體：不銹鋼sus304材質(zhì)，內(nèi)表面電解拋光，本底真空度<5e-7 pa。

5. 樣品傳輸室：不銹鋼sus304材質(zhì)，內(nèi)表面電解拋光，本底真空度<5e-5 pa。

6. 排氣系統(tǒng)：分子泵和干式機(jī)械泵，進(jìn)口知名品牌。

7. 閥門：采用超高真空擋板閥。

8. 真空檢測(cè)：真空計(jì)采用進(jìn)口產(chǎn)品

9. 氣路兩套：采用氣體流量計(jì)（MFC）。

10. 薄膜成長(zhǎng)監(jiān)控系統(tǒng)：采用掃描型Rheed（可差分抽氣）。

11. 監(jiān)控軟件系統(tǒng)：基板溫度的監(jiān)控和設(shè)定，基板和靶的旋轉(zhuǎn)，靶的更換。

12. 各種電流導(dǎo)入及測(cè)溫端子。

13. 其它各種構(gòu)造：各種超高真空位移臺(tái)，磁力傳輸桿，超高真空法蘭，超高真空密封墊圈，超高真空用波紋管等。

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