刻蝕機(jī)

刻蝕精度主要是用保真度、選擇比、均勻性等參數(shù)來衡量。所謂保真度度，就是要求把光刻膠的圖形轉(zhuǎn)移到其下的薄膜上，即希望只刻蝕所要刻蝕的薄膜，而對其上的掩膜和其下的襯底沒有刻蝕。事實(shí)上，以上三個(gè)部分都會被刻蝕，只是刻蝕速率不同。選擇比就是用來衡量這一指標(biāo)的參數(shù)。S=V/U（V為對薄膜的刻蝕速率，U為對掩膜或襯底的刻蝕速率），S越大則選擇比越好。由于跨越整個(gè)硅片的薄膜厚度和刻蝕速率不盡相同，從而也導(dǎo)致圖形轉(zhuǎn)移的不均勻，等離子刻蝕機(jī)尤其是中心和邊緣相差較大。因而均勻性成為衡量這一指標(biāo)的重要參數(shù)。除以上參數(shù)外，刻蝕速率也是一個(gè)重要指標(biāo)，它用來衡量硅片的產(chǎn)出速度，刻蝕速率越快，則產(chǎn)出率越高。

本產(chǎn)品信息有創(chuàng)世威納提供，如果您想了解更多產(chǎn)品信息您可撥打圖片上的電話進(jìn)行咨詢！

離子束刻蝕機(jī)的工作原理

通入工作氣體ya氣，氣壓10-2- 10-Torr之間，陰極放1射出的電子向陽極運(yùn)動，在運(yùn)動過程中，電子將工作氣體分子電離，在樣品室內(nèi)產(chǎn)生輝光放電形成等離子體。其中電子在損失能量后到達(dá)陽極形成陽極電流，而ya離子由多孔柵極引出，在速系統(tǒng)作用下，形成一個(gè)大面積的、束流密度均勻的離子束。為減少束中空間電荷靜電斥力的影響，減少正離子轟擊基片時(shí)，造成正電荷堆積，離子束離開加速電極后，被中和器發(fā)出的電子中和，使正離子束變成中性束，打到基片上，進(jìn)行刻蝕。

以上就是關(guān)于離子束刻蝕機(jī)的相關(guān)內(nèi)容介紹，如有需求，歡迎撥打圖片上的熱線電話！

離子束刻蝕常見的效應(yīng)

刻蝕的理想結(jié)果是將掩模(mask)的圖形準(zhǔn)確地轉(zhuǎn)移到基片_上，尺寸沒有變化。由于物理濺射的存在，掩模本身的不陡直和濺射產(chǎn)額隨離子束入射角變化等原因，產(chǎn)生了刻面( Faceting)、槽底開溝(Trenching or Ditching) 和再沉積等現(xiàn)象，這些效應(yīng)的存在降低了圖形轉(zhuǎn)移精度。

想要了解更多離子束刻蝕機(jī)的相關(guān)信息，歡迎撥打圖片上的熱線電話！

離子束刻蝕

利用低能量平行Ar 離子束對基片表面進(jìn)行轟擊，表面上未被掩膜覆蓋部分的材料被濺射出，從而達(dá)到選擇刻蝕的目的，它采用純物理的刻蝕原理。離子束刻蝕是目前所有刻蝕方法中分辨率較高，陡真性較好的方法，它可以對所有材料進(jìn)行刻蝕，例如：金屬、合金、氧化物、化合物、混合材料、半導(dǎo)體、絕緣體、超導(dǎo)體等。

想了解更多產(chǎn)品信息您可撥打圖片上的電話進(jìn)行咨詢！