電源轉(zhuǎn)換器有效設(shè)計的關(guān)鍵

在這些情況下，有效設(shè)計的關(guān)鍵在于電源轉(zhuǎn)換器控制電路或轉(zhuǎn)換器的核心器件，以及功率開關(guān)器件及其支持組件。這些器件主要用于實現(xiàn)選定的電源拓?fù)?，以所需的電壓和電流提供穩(wěn)定的直流輸出。轉(zhuǎn)換器可以包含集成功率器件（例如 MOSFET），抑或作為碳化硅 (SiC) 功率器件等外部分立功率器件的控制器和驅(qū)動器。有些轉(zhuǎn)換器為整個系統(tǒng)提供穩(wěn)定的直流電源軌，另一些的功能則不甚顯著，但仍起著至關(guān)重要的作用，充當(dāng)具有特殊通斷屬性的柵極驅(qū)動器。

AC/DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計中不存在所謂“魔彈式”能效提高法

在 AC/DC 轉(zhuǎn)換器設(shè)計中，不存在所謂“魔彈式”能效提高法，設(shè)計人員費(fèi)盡心機(jī)往往也只能略微提高能效。但是，通過幾種大小策略組合反而有效：選擇合適的轉(zhuǎn)換器核心拓?fù)?，確定適合該方法和功率水平的開關(guān)頻率；該頻率通常在 100 kHz 至 1 MHz 之間。優(yōu)化電路：所有基本設(shè)計中都有許多細(xì)節(jié)會產(chǎn)生無功功率，電源設(shè)計人員已經(jīng)找到了相應(yīng)方法，在一定或很大程度上使其化；每個方面可能只有些許改進(jìn)，但積少成多。使用本質(zhì)上有助于提高能效的有源和無源元件；對于功率器件 (MOSFET) 和某些二極管，則表示要改用基于 SiC 工藝技術(shù)的元器件。

憑借較小的導(dǎo)通電阻及其在高溫下的性能

憑借較小的導(dǎo)通電阻及其在高溫下的性能，如今 SiC 已成為下一代低損耗開關(guān)和阻斷元件可行的候選材料。相較于硅器件，SiC 器件具有眾多優(yōu)勢，因為后者具有更高的擊穿電壓及其他特性，包括：臨界電場擊穿電壓更高，因而在給定的額定電壓下工作時漂移層更薄，大幅減小導(dǎo)通電阻。導(dǎo)熱率更高，因而在橫截面上可以實現(xiàn)更高的電流密度。帶隙更寬，因而高溫下的漏電流較小。因此，SiC 二極管和 FET 常稱為寬帶隙 (WBG) 器件。