IGBT的驅動電路特點（二）

IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管，是MOSFET和GTR(功率晶管)相結合的產物。它的三個極分別是集電極(C)、發(fā)射極(E)和柵極(G)。

特點：擊穿電壓可達1200V，集電極飽和電流已超過1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達250kVA以上，工作頻率可達20kHz。

IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(絕緣柵雙極型晶體管)的縮寫，IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET，輸出極為PNP晶體管，它融合了這兩種器件的優(yōu)點，既具有MOSFET器件驅動功率小和開關速度快的優(yōu)點，又具有雙極型器件飽和壓降低而容量大的優(yōu)點，其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內，在現代電力電子技術中得到了越來越廣泛的應用，在較高頻率的大、中功率應用中占據了主導地位。2、它的輸出電流是恒定的,理想的電路是無論LED的特性曲線怎么變化,驅動電源的電流保持不變。

若在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅動正電壓，則MOSFET導通，這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導通；若IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V，則MOS 截止，切斷PNP晶體管基極電流的供給，使得晶體管截止。IGBT與MOSFET一樣也是電壓控制型器件，在它的柵極—發(fā)射極間施加十幾V的直流電壓，只有在u級的漏電流流過，基本上不消耗功率。液晶顯示器的分辨率越來越高，這就意味著掃描列數的增加，GateDriverIC必須不斷提高開關頻率，SourceDriverIC必須不斷提高掃描頻率。

半橋全橋驅動電路的作用是什么？

半橋全橋復的驅動電路是使功率管產生交流制電的觸發(fā)信號，并不是將交流信號變直流信號。百即使單片度機可以輸出直流信號，但是它問的驅動能力也是有限的，所以單片機一般做驅動答信號，驅動大的功率管，來產生大電流從而才能驅動電機。

瑞泰威主營業(yè)務為:驅動IC、存儲IC、觸摸IC等電子元器件產品，產品型號齊全，能夠滿足您不同性能需求的電子元器件產品。生產之后，經過嚴密測試分析流程才出貨，保持和提高產品可靠性，月出貨量100萬PCS。

新型LED驅動器IC介紹

在汽車市場上，由于LED燈壽命長、安裝密度高，因而越來越多的車燈都采用LED燈。傳統(tǒng)的車載LED燈通過在模塊化基板上，組合大量電子元件，以支持各種設計和功能。近年來除了設計之外，人們對LED燈可維護性性能提升的要求也越來越高。在《標準化工作導則第2部分：標準中規(guī)范性技術要素內容的確定方法》的”5．4．3由供方確定的數值“中提及：“如果允許產品存在多樣化，則產品的某些特性值可不必做出規(guī)定（盡管這些特性對產品的性能有明顯的影響）”。插座式LED燈可像LED燈泡一樣，很容易被更換，可維護性性能很優(yōu)越，因而備受關注。但是，很難減小插座的大小，導致設計靈活性被降低。瑞泰威驅動IC廠家，是國內IC電子元器件的代理銷售企業(yè)，專業(yè)從事各類驅動IC、存儲IC、傳感器IC、觸摸IC銷售，品類齊全，具備上百個型號。

為解決該問題，羅姆研發(fā)了新型LED驅動器IC，能夠安裝在超緊湊的插座型LED燈電路內，即使在電池電壓下降的情況下，仍可確保穩(wěn)定的照明。

無線充電芯片組成

從結構上看，無線充電發(fā)射端芯片主要由驅動芯片、MOS芯片和主芯片三部分組成。單片機方案下，控制芯片、驅動芯片、運放全部獨立，外圍元件也相當多，總而言之，非常復雜，元器件太多。實際的MOSFET有別于理想的MOSFET，柵極和源度極，源極和漏極都是存在電容的，要用合適的驅動電路才能使MOS管工作在低導通損耗的開關狀態(tài)。原材料品種繁多，生產試驗流程復雜，不利于產品的快速開發(fā)、生產和銷售。

即Systemonachip，它是指在一塊芯片上集成一個完整系統(tǒng)。當前對SoC方案的一些比較常見的定義是：SoC即主控制和驅動集成。由于對于單相反電動勢波形圖，反電動勢過零點30°處對應繞組的換向信號，找出反電動勢過零點，即反電動勢檢測的任務〔2〕。但是也有聲音表示這種說法并不準確，主控、驅動、MOS完整集合才是真正的SoC。以下是SoC的定義，暫且先以種表述為準。