10kv高壓固態(tài)軟啟動(dòng)器有幾只可控硅？固態(tài)工作原理

      采用原裝進(jìn)口串聯(lián)用32只晶閘管及專業(yè)絕緣材料與現(xiàn)代電力電子控制技術(shù)相組合，專業(yè)設(shè)計(jì)制造。8、負(fù)載順應(yīng)性強(qiáng)，調(diào)試方便，可依據(jù)負(fù)載變化來(lái)方便，自在地調(diào)整一切參數(shù)，從而使得各種負(fù)載到達(dá)zui佳的起動(dòng)效果。適合大中型電動(dòng)機(jī)特性和特點(diǎn)得高壓固態(tài)軟起動(dòng)裝置。隔離開(kāi)關(guān):在起動(dòng)器的輸入電源部分裝有一個(gè)允許電機(jī)直接帶負(fù)載起動(dòng)的隔離開(kāi)關(guān)。這個(gè)隔離開(kāi)關(guān)具有負(fù)載短路時(shí)起動(dòng)和帶負(fù)載停機(jī)的過(guò)載能力。其da設(shè)計(jì)值是:5KV隔離開(kāi)關(guān)使用2300-4160V的起動(dòng)器，7.2KV用于6000-7200V起動(dòng)器，而15KV用于10-14KV的軟起動(dòng)器。

湖北鄂動(dòng)機(jī)電設(shè)備制造有限公司資料的提交及時(shí)充分，滿足工程進(jìn)度要求。c)通訊功能：具備RS485接口（通訊協(xié)議Modbus及Porfibus可選）通過(guò)此項(xiàng)功能可以直接與上位PC機(jī)通訊來(lái)實(shí)現(xiàn)遙控及遙信等功能，實(shí)現(xiàn)集成控制。在合同簽訂后半個(gè)月內(nèi)給出全部技術(shù)資料清單，并經(jīng)需方確認(rèn)。向需方提供每套軟啟詳細(xì)的資料一式二份（電子軟盤(pán)一份），以滿足進(jìn)行接口設(shè)計(jì)的要求，提供下列資料：1）.系統(tǒng)設(shè)計(jì)和設(shè)備配置2）.技術(shù)規(guī)范及操作手冊(cè)3）.電源要求、接地要求、電控箱/柜數(shù)量、外形尺寸及布置要求4）.運(yùn)行維護(hù)及設(shè)計(jì)安裝指導(dǎo)手冊(cè)5）.電氣原理接線圖及設(shè)備表，外接端子排列圖6）.設(shè)備布置圖以及安裝方式7）.供土建設(shè)計(jì)的所有資料，如設(shè)備荷載以及荷載點(diǎn)等8）.施工、調(diào)試、試運(yùn)、機(jī)組性能試驗(yàn)和運(yùn)行維護(hù)所需的技術(shù)資料。10）.設(shè)計(jì)和安裝說(shuō)明文件：設(shè)計(jì)文件，型式試驗(yàn)、驗(yàn)收試驗(yàn)和特殊試驗(yàn)證明，安裝說(shuō)明，調(diào)試說(shuō)明。

                                               高壓固態(tài)軟啟動(dòng)使用晶閘管質(zhì)量咋樣

 高壓固態(tài)軟啟動(dòng)器雙向可控硅的工作原理1.可控硅是P1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件，共有三個(gè)PN結(jié)，分析原理時(shí)，可 以把它看作由一個(gè)PNP管和一個(gè)NPN管所組成   當(dāng)陽(yáng)極A加上正向電壓時(shí)，BG1和BG2管均處于放大狀態(tài)。6倍以上額定電壓冗余度，并且每組SCR組件都裝有單獨(dú)過(guò)電壓保護(hù)單元。此時(shí)，如果從控制極G輸入一個(gè)正向觸發(fā)信號(hào)，BG2便有基流ib2流過(guò)，經(jīng)BG2放大，其集電 極電流ic2=β2ib2。因?yàn)锽G2的集電極直接與BG1的基極相連，所以ib1=ic2。此時(shí)，電流ic2再經(jīng)BG1放大，于是BG1的集電極電流 ic1=β1ib1=β1β2ib2。這個(gè)電流又流回到BG2的基極，表成正反饋，使ib2不斷增大，如此正向饋循環(huán)的結(jié)果，兩個(gè)管子的電流劇增，可控硅 使飽和導(dǎo)通。 由于BG1和BG2所構(gòu)成的正反饋?zhàn)饔?，所以一旦可控硅?dǎo)通后，即使控制極G的電流消失了，可控硅仍然能夠維持導(dǎo)通狀態(tài)，由于觸發(fā)信號(hào)只起 觸發(fā)作用，沒(méi)有關(guān)斷功能，所以這種可控硅是不可關(guān)斷的。  由于可控硅只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種工作狀態(tài)，所以它具有開(kāi)關(guān)特性，這種特性需要一定的條件才能轉(zhuǎn)化 2,觸發(fā)導(dǎo)通  在控制極G上加入正向電壓時(shí)因J3正偏，P2區(qū)的空穴時(shí)入N2區(qū)，N2區(qū)的電子進(jìn)入P2區(qū)，形成觸發(fā)電流IGT。在可控硅的內(nèi)部正反饋?zhàn)饔玫幕A(chǔ)上，加上IGT的作用，使可控硅提前導(dǎo)通，導(dǎo)致圖3的伏安特性O(shè)A段左移，IGT越大，特性左移越快。