3、保護(hù)回路：U1芯片本身和3腳外圍電路構(gòu)成過流保護(hù)回路;N1繞組上并聯(lián)的D1、R1、C9元件構(gòu)成了開關(guān)管的反向電壓吸收保護(hù)電路，以提供Q1截止時(shí)的反向電流通路，保障Q1的工作安全;實(shí)質(zhì)上穩(wěn)壓回路的電壓反饋信號，也可看作是一路電壓保護(hù)信號——當(dāng)反饋電壓幅度達(dá)一定值時(shí)，電路實(shí)施停振保護(hù)動(dòng)作;24V的輸出端并聯(lián)有由R18、ZD2、單向晶閘管SCR組成的過壓保護(hù)電路，當(dāng)穩(wěn)壓電路失常，引起輸出電壓異常上升時(shí)，穩(wěn)壓二極管ZD2的擊穿為SCR提供觸發(fā)電流，SCR的導(dǎo)通形成一個(gè)“短路電流”信號，強(qiáng)制U1內(nèi)部保護(hù)電路產(chǎn)生過流保護(hù)動(dòng)作，電路處于停振狀態(tài)。24v開關(guān)電源電路圖


多根飛線直徑計(jì)算參考如下表格： 4.輸出的DC線材的PCB孔徑需考慮到線材直徑。理由：避免組裝困難 因?yàn)槟愕腜CB可能會用在不同電流段上，比如5V/8A，和20V/2A，兩者使用的線材是不一樣的 參考如下表格： 5.電路調(diào)試，OCP限流電阻多個(gè)并聯(lián)的阻值要設(shè)計(jì)成一樣。理由：阻值越大的那顆電阻承受的功率越大 6.電路設(shè)計(jì)，散熱片引腳的孔做成長方形橢圓形(經(jīng)驗(yàn)值：2*1mm)。理由：避免組裝困難 橢圓形的孔方便散熱器有個(gè)移動(dòng)的空間，這對組裝和過爐是非常有利的。


LEB前沿消隱時(shí)間設(shè)短了，比尖峰脈沖的時(shí)間還短，那就沒有效果了還是會誤判；如果設(shè)長了，真正的過流來了起不到保護(hù)的作用。 Rcs與Ccs的RC值不可超過1NS的Delay，否則輸出短路時(shí)，Vds會比滿載時(shí)還高，超過MOSFET耐壓就可能造成炸機(jī)。 經(jīng)驗(yàn)值1nS的Delay約等于1K對100PF，也等于100R對102PF 16.畫小板時(shí)，在小板引腳的90度拐角處增加一個(gè)圓形鉆孔。理由：方便組裝 如圖： 實(shí)物如圖： 實(shí)際組裝如圖： 這樣做可以使小板與PCB大板之間緊密貼合，不會有浮高現(xiàn)象 17.電路設(shè)計(jì)，肖特基的散熱片可以接到輸出正極線路，這樣鐵封的肖特基就不用絕緣墊和絕緣粒 18.電路調(diào)試，15W以上功率的RCD吸收不要用1N4007，因?yàn)?N4007速度慢300uS，壓降也大1.3V，老化過程中溫度很高，容易失效造成炸機(jī) 19.電路調(diào)試，輸出濾波電容的耐壓致少需符合1.2倍余量，避勉量產(chǎn)有損壞現(xiàn)象。


圖一b（230Vac） 圖一b可以看到，輸入電壓在230Vac測試時(shí)，65M和83M位置有點(diǎn)頂線（紅色線）圖一b-1（230Vac） 原邊吸收電容由471P加大到102P，65M位置壓下來一點(diǎn)，后面還是有點(diǎn)高，如圖一b-1所示； 圖一b-2（230Vac） 變壓器屏蔽改成線屏蔽（0.2*1*30Ts）,后面完全衰減，如圖一b-2； 圖一b-3（115Vac） 115Vac輸入測試，后面150M又超了，發(fā)克！高壓好了低壓又不行，惱火??！看來這招不行； 圖一b-4（115Vac） 變壓器屏蔽還是換成銅箔屏蔽（圈數(shù)由0.9Ts改成1.3Ts），效果不錯(cuò)，如圖一b-4所示。 圖一b-5（230Vac） 115Vac輸入測試，測試通過。結(jié)論：一：變壓器出線需做到不交叉；二：Y電容回路走線越短越好先經(jīng)過變壓器地再回到大電容地，不與其它信號線交叉；