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而在電路未啟動(dòng)之前,由于高壓端啟動(dòng)電阻的充電,可以將VCC上電容上的電壓充到IC啟動(dòng)的電壓,一旦電路有問題一下啟動(dòng)不了VCC由于繞組電壓的預(yù)設(shè)值偏低。電路也是不會(huì)啟動(dòng)的,一般表現(xiàn)為嗝狀態(tài)?!駷楹我凑誌C的工作電壓低端取值?因?yàn)槲覀兇渭?jí)繞組是與初級(jí)繞組相鄰繞制的,耦合效果相對而言是的。我們做短路試驗(yàn)也是做次級(jí)的輸出短路,因?yàn)轳詈闲Ч茫渭?jí)短路時(shí)VCC在經(jīng)過短暫的上沖后會(huì)快速降低,降到IC的關(guān)閉電壓時(shí)電路得到的保護(hù)。需要注意這個(gè)電壓需要高于MOSFET飽和導(dǎo)通1V以上,避免驅(qū)動(dòng)不足。
.●反饋光耦供電用12V供電,且取樣點(diǎn)在后級(jí)濾波電感前面更好。因?yàn)闉V波電感前的波動(dòng)更快的反映前端PWM的調(diào)制狀態(tài),就算TL431的開啟程度是一定的,因?yàn)?2V的波動(dòng)可以讓光耦上反饋到的電流有微小的差異,在反饋環(huán)路一定的情況下,這個(gè)光耦供電取樣點(diǎn)的選擇更有利于動(dòng)態(tài)響應(yīng)和調(diào)整率的平衡控制。?!?2V繞組應(yīng)該放在更接近于初級(jí)繞組的地方。這樣更有效的確保12V的電壓變化比例更小,因?yàn)槲覀兎答伈蓸拥氖?V端,所以難控制的是12V的繞組。綜合這些將可以更好的控制這兩個(gè)繞組的平衡度。雖然不能做到的好,但是相對的來說是有一定參考價(jià)值的。