?！癯跫?jí)與次級(jí)主繞組必須是近相鄰的繞組，這樣耦合會(huì)更有利?！耖_(kāi)關(guān)電源在MOSFET-D端點(diǎn)工作時(shí)候產(chǎn)生的干擾是（也是RCD吸收端與變壓器相連的端點(diǎn)），在變壓器繞制時(shí)建議將他繞在變壓器的個(gè)繞組，并作為起點(diǎn)端，讓他藏在變壓器里層，這樣后面繞組銅線的屏蔽是有較好抑制干擾效果的?！馰CC繞組在計(jì)算其圈數(shù)時(shí)盡量的在IC工作電壓乘以1.1倍作為誤差值，不用考慮銅線的壓降，因?yàn)閱?dòng)前電流是非常小的，所以這個(gè)電阻并沒(méi)有多少影響，幾乎可以忽略不計(jì)。

.●反饋光耦供電用12V供電，且取樣點(diǎn)在后級(jí)濾波電感前面更好。因?yàn)闉V波電感前的波動(dòng)更快的反映前端PWM的調(diào)制狀態(tài)，就算TL431的開(kāi)啟程度是一定的，因?yàn)?2V的波動(dòng)可以讓光耦上反饋到的電流有微小的差異，在反饋環(huán)路一定的情況下，這個(gè)光耦供電取樣點(diǎn)的選擇更有利于動(dòng)態(tài)響應(yīng)和調(diào)整率的平衡控制。?！?2V繞組應(yīng)該放在更接近于初級(jí)繞組的地方。這樣更有效的確保12V的電壓變化比例更小，因?yàn)槲覀兎答伈蓸拥氖?V端，所以難控制的是12V的繞組。綜合這些將可以更好的控制這兩個(gè)繞組的平衡度。雖然不能做到的好，但是相對(duì)的來(lái)說(shuō)是有一定參考價(jià)值的。

41.一個(gè)冷知識(shí)，如何測(cè)量PCB的銅箔厚度？ 方法：在PCB板上找一條光滑且長(zhǎng)的線條，測(cè)量其長(zhǎng)度L，再測(cè)寬度W，再用DC源加1A電流在其兩端測(cè)得壓降U 依據(jù)電阻率公式得出以下公式： 例：取一段PCB銅箔，長(zhǎng)度L為40mm，寬度為10mm，其通過(guò)1A電流兩端壓降為0.005V，求該段銅箔厚度為多少u(mài)m？ 42.一款36W適配器的EMI整改案例，輸出12V/3A，多圖對(duì)比，整改花費(fèi)時(shí)間3周。 變壓器繞法一：Np1→VCC→Ns1→Ns2→銅屏蔽0.9Ts→NpPCB關(guān)鍵布局：Y電容地→大電容地，變壓器地→Vcc電容→大電容地注：變壓器所有出線沒(méi)有交叉圖一（115Vac） 圖一所示可以看到，130-200M處情況并不樂(lè)觀；130-200M主要原因在于PCB布局問(wèn)題和二次側(cè)的肖特基回路，改其它地方作用不大，肖特基套磁珠可以完全壓下來(lái)，圖忘記保存了。