蝕刻：蝕刻(etching)是將材料使用bai化學(xué)反應(yīng)或物理du撞擊作用而移除的技術(shù)。蝕刻的原理zhi是氧化還原反應(yīng)中的置換dao反應(yīng)：2AgNo3 Cu=Cu(No3)*2 2Ag。利用蝕刻液與銅層反應(yīng),蝕去線路板上不需要的銅,得到所要求的線路。蝕刻技術(shù)可以分為濕蝕刻(wet etching)和干蝕刻(dry etching)兩類。

顯影：顯影是在印刷、影印、復(fù)印、曬圖等行業(yè)中，讓影像顯現(xiàn)的一個(gè)過(guò)程。通過(guò)堿液作用，將未發(fā)生光聚合反應(yīng)之感光材料部分沖掉。顯影包括正顯影和反轉(zhuǎn)顯影。

在曝光機(jī)橡皮膜接觸菲林底片一側(cè)粘上一塊絨布，絨毛朝菲林底片，絨布的背面繞上幾圈銅絲，銅絲與橡皮膜的接地線相連，防止絨布產(chǎn)生靜電。絨布和橡皮膜之間不好粘貼，要選用合適的膠水，但不宜使用含有有機(jī)溶液的膠水，否則容易損壞橡皮膜。此法生產(chǎn)效率較高，但同樣不能杜絕偏移。

以上幾種方法中，實(shí)用的是前面一種。雖然效率低些，但相對(duì)于因偏移造成返工甚至使PCB報(bào)廢而言還是值得采用的。

正膠顯影：正性光刻i膠的曝光區(qū)的光刻膠在顯影液中溶解，在光刻膠上形成三維圖形。

負(fù)膠顯影：在負(fù)性光刻膠的非曝光區(qū)的光刻膠在顯影液中溶解，在光刻膠上形成三維圖形。

正膠具有很好的對(duì)比度，所以生成的圖形具有良好的分辨率，其他特性如，臺(tái)階覆蓋好、對(duì)比度好；粘附性差、抗刻蝕能力差、高成本。

負(fù)膠的特性為，具有良好的粘附能力和阻擋作用、感光速度快；顯影時(shí)發(fā)生變形和膨脹，所以只能用于2μm的分辨率。

蝕刻：蝕刻是將材料使用化學(xué)反應(yīng)或物理撞擊作用而移除的技術(shù)。利用蝕刻液與銅層反應(yīng),蝕去線路板上不需要的銅,得到所要求的線路。蝕刻技術(shù)可以分為濕蝕刻和干蝕刻兩類。

這被稱作為“抗蝕層”。在蠟層中刻出圖案，使底下的金屬部分顯露出來(lái)。制備好的金屬材料被浸漬在鹽酸或者肖酸溶液中，直至其暴露的區(qū)域被刻蝕到所需的深度。之后將抗蝕層清除，就可展現(xiàn)出蝕刻的成品樣子。燙金或者發(fā)黑都可以被用于突出圖案。金屬蝕刻制品上的圖案往往比傳統(tǒng)雕刻更方便而代價(jià)更少。