測(cè)試的IGBT參數(shù)包括：ICES（漏流）、BVCES（耐壓）、IGESF（正向門(mén)極漏流）、IGESR（反向門(mén)極漏流）、VGETH（門(mén)檻電壓／閾值）、VGEON（通態(tài)門(mén)極電壓）、VCESAT（飽和壓降）、ICON（通態(tài)集極漏流）、VF（二極管壓降）、GFS（跨導(dǎo)）、rCE（導(dǎo)通電阻）等全直流參數(shù), 所有小電流指標(biāo)保證1%重復(fù)測(cè)試精度, 大電流指標(biāo)保證2%以?xún)?nèi)重復(fù)測(cè)試精度。

半導(dǎo)體元件全自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)，可以元件在真正工作狀態(tài)下的電流及電壓，并測(cè)量重要參數(shù)的數(shù)據(jù)，再與原出廠指標(biāo)比較，由此來(lái)判定元件的好壞或退化的百分比。每個(gè)電流模塊，都具有獨(dú)立的供電系統(tǒng)，以便在測(cè)試時(shí)，提供內(nèi)部電路及電池組充電之用； 可選購(gòu)?fù)獠扛邏耗K，執(zhí)行關(guān)閉狀態(tài)參數(shù)測(cè)試如：各項(xiàng)崩潰電壓與漏電流測(cè)量達(dá)2KV。

IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)技術(shù)要求

1、設(shè)備概述

該設(shè)備用于功率半導(dǎo)體模塊（IGBT、FRD、肖特基二極管等）的動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試，以表征器件的動(dòng)態(tài)特性，通過(guò)測(cè)試夾具的連接，實(shí)現(xiàn)模塊的動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試。

2、需提供設(shè)備操作手冊(cè)、維修手冊(cè)、零部件清單、基礎(chǔ)圖、設(shè)備總圖、部件裝配圖、電氣原理圖、全機(jī)潤(rùn)滑系統(tǒng)圖、電氣接線用、計(jì)算機(jī)控制程序軟件及其他必要的技術(shù)文件，設(shè)備有通訊模塊必須提供通訊協(xié)議及其他必要的技術(shù)文件，所有資料必須準(zhǔn)備（正本、副本）各一份，電子版一份；（正本、副本）技術(shù)資料，應(yīng)至少有一份采用中文，另一份技術(shù)資料可以是英文或中文。

靜態(tài)及動(dòng)態(tài)測(cè)試系統(tǒng) 技術(shù)規(guī)范 供貨范圍一覽表 序號(hào) 名稱(chēng) 型號(hào) 單位 數(shù)量 1 半導(dǎo)體靜態(tài)及動(dòng)態(tài)測(cè)試系統(tǒng) HUSTEC-2010 套 1 1范圍 本技術(shù)規(guī)范提出的是限度的要求，并未對(duì)所有技術(shù)細(xì)節(jié)作出規(guī)定，也未充分引述有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和規(guī)范的條文，供貨方應(yīng)提供符合工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和本技術(shù)規(guī)范的產(chǎn)品。本技術(shù)規(guī)范所使用的標(biāo)準(zhǔn)如遇與供貨方所執(zhí)行的標(biāo)準(zhǔn)不一致時(shí)，應(yīng)按較高標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行。

4驗(yàn)收和測(cè)試 1)驗(yàn)收由雙方共同參加，按照技術(shù)規(guī)范書(shū)的技術(shù)要求逐項(xiàng)完成所有測(cè)試項(xiàng)，檢驗(yàn)單元是否功能齊全、模塊完整、正常運(yùn)行。由賣(mài)方現(xiàn)場(chǎng)安裝、測(cè)試，買(mǎi)方確認(rèn)測(cè)試合格通過(guò)后完成驗(yàn)收。 2)賣(mài)方負(fù)責(zé)組織和實(shí)施整個(gè)單元的組裝、調(diào)試、系統(tǒng)集成工作；負(fù)責(zé)免費(fèi)培訓(xùn)并提供培訓(xùn)教材。培訓(xùn)后，應(yīng)能達(dá)到用戶(hù)能基本完全獨(dú)立熟練操作單元進(jìn)行功率半導(dǎo)體性能測(cè)試，并能解決實(shí)際工程問(wèn)題。