同方迪一整流橋工藝

整流橋生產(chǎn)過程5大生產(chǎn)流程，從芯片的選擇，到注塑切割，后到了檢驗(yàn)這一步在下圖中都一一列舉，若要更詳細(xì)的去分解，整流橋的生產(chǎn)過程有12道生產(chǎn)工序，5道檢驗(yàn)，都是為了保障產(chǎn)品的質(zhì)量。

生產(chǎn)工藝

1.芯片焊接與框架組裝，2.注塑成型，3.切筋，4.出廠測(cè)試，5.外檢包裝。

同方迪一整流橋，15年的用心與真誠(chéng)，給客戶滿意！做好品質(zhì)產(chǎn)品，同方迪一整流橋，電子元件界的寶藏！

同方迪一分享整流橋的主要參數(shù)

整流橋的本質(zhì)是二極管，所以整流橋的主要參數(shù)與二極管類似。

①反向峰值電壓（VRRM）：整流橋能承受的反向電壓*大值，超過此值,整流橋擊穿。示例中GBJ2510反向峰值電壓為1000V。

②平均整流電流（Io）:整流橋長(zhǎng)期工作時(shí)所能承受的流過的*大電流，超過這個(gè)值整流橋熱擊穿。示例中全系列整流橋的平均整流電流在帶散熱片的條件下為25A，不帶散熱片的條件下為4A。

③正向峰值浪涌電流（IFSM）：整流橋能扛住的瞬間電流沖擊*大值，超過此值，整流橋損壞。示例中全系列整流橋能在半個(gè)周期內(nèi)扛住的*大沖擊電流為320A。

整流橋二極管的外殼溫度是關(guān)鍵

整流橋二極管的外殼溫度是關(guān)鍵一般來說是由殼溫確定。

整流橋在強(qiáng)迫風(fēng)冷冷卻時(shí)殼溫的確定由以上兩種情況三種不同散熱冷卻形式的分析與計(jì)算，我們可以得出：在整流橋自然冷卻時(shí)，我們可以直接采用生產(chǎn)廠家所提供的結(jié)環(huán)境熱阻（Rja），來計(jì)算整流橋的結(jié)溫，從而可以方便地檢驗(yàn)我們的設(shè)計(jì)是否達(dá)到功率元器件的溫度降額標(biāo)準(zhǔn)；對(duì)整流橋采用不帶散熱器的強(qiáng)迫風(fēng)冷情況，由于在實(shí)際使用中很少采用，在此不予太多的討論。

如果在應(yīng)用中的確涉及該種情形，可以借鑒整流橋自然冷卻的計(jì)算方法；對(duì)整流橋采用散熱器進(jìn)行冷卻時(shí)，我們只能參考廠家給我們提供的結(jié)殼熱阻（Rjc），通過測(cè)量整流橋的殼溫從而推算出其結(jié)溫，達(dá)到檢驗(yàn)?zāi)康摹?/span>

在此，我們著重討論該計(jì)算殼溫測(cè)量點(diǎn)的選取及其相關(guān)的計(jì)算方法，并提出一種在實(shí)際應(yīng)用中可行、在計(jì)算中又可靠的測(cè)量方法。

同方迪一整流橋堆的構(gòu)成

整流橋堆品種多：有扁形、圓形、方形、板凳形（分直插與貼片）等，有GPP與O/J結(jié)構(gòu)之分。*大整流電流從0.5A到100A，*高反向峰值電壓從50V到1600V。

半橋是將兩個(gè)二極管橋式整流的一半封在一起,用兩個(gè)半橋可組成一個(gè)橋式整流電路,一個(gè)半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路,

選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓.好的廠家有同方迪一的G系列整流橋堆,進(jìn)口品牌有ST、IR,臺(tái)系的SEP、GD等。整流橋堆一般用在全波整流電路中，它又分為全橋與半橋。

全橋是由4只整流二極管按橋式全波整流電路的形式連接并封裝為一體構(gòu)成的，圖是其外形。

全橋的正向電流有0.5A、1A、1.5A、2A、2.5A、3A、5A、10A、20A、35A、50A等多種規(guī)格，耐壓值（*高反向電壓）有25V、50V、100V、200V、300V、400V、500V、600V、800V、1000V等多種規(guī)格。