靶材輸入電流及濺射時(shí)間可以控制，容易得到高精度的膜厚。較其它制程利于生產(chǎn)大面積的均一薄膜。濺射粒子幾不受重力影響，靶材與基板位置可自由安排?；迮c膜的附著強(qiáng)度是一般蒸鍍膜的10倍以上，且由于濺射粒子帶有高能量，在成膜面會(huì)繼續(xù)表面擴(kuò)散而得到硬且致密的薄膜，同時(shí)此高能量使基板只要較低的溫度即可得到結(jié)晶膜。薄膜形成初期成核密度高，可生產(chǎn)10nm以下的極薄連續(xù)膜。靶材的壽命長(zhǎng)，可長(zhǎng)時(shí)間自動(dòng)化連續(xù)生產(chǎn)。靶材可制作成各種形狀，配合機(jī)臺(tái)的特殊設(shè)計(jì)做更好的控制及比較有效率的生產(chǎn)。

鏡片在接受鍍膜前必須進(jìn)行預(yù)清洗，這種清洗要求很高，達(dá)到分子級(jí)。在清洗槽中分別放置各種清洗液，并采用超聲波加強(qiáng)清洗效果，當(dāng)鏡片清洗完后，放進(jìn)真空艙內(nèi)，在此過(guò)程中要特別注意避免空氣中的灰塵和垃圾再黏附在鏡片表面。清洗是在真空艙內(nèi)，在此過(guò)程中要特別注意避免空氣中的灰塵和垃圾再黏附在鏡片表面。清洗是在真空艙內(nèi)鍍前進(jìn)行的，放置在真空艙內(nèi)的離子槍將轟擊鏡片的表面（例如用亞離子），完成此道清洗工序后即進(jìn)行減反射膜的鍍膜。

磁控濺射真空鍍膜機(jī)運(yùn)作就是通過(guò)真空狀態(tài)下正交磁場(chǎng)是電子轟擊亞氣形成的亞離子再轟擊靶材，靶材離子沉積于工件表面成膜。

真空狀態(tài)就需要抽氣系統(tǒng)來(lái)進(jìn)行控制，每個(gè)抽氣口都要同時(shí)開(kāi)動(dòng)并力度一致，這樣就能控制好抽氣的均勻性，如果抽氣不均勻，在真空室內(nèi)的壓強(qiáng)就不能均勻了，壓強(qiáng)對(duì)離子的運(yùn)動(dòng)是存在一定的影響的。另外抽氣的時(shí)間也要控制，太短會(huì)造成真空度不夠，但太長(zhǎng)又浪費(fèi)資源，不過(guò)有真空計(jì)的存在，要控制好還是不成問(wèn)題的。