很多實驗研究發(fā)現(xiàn)，鈍化層或底層、濕氣滲透和/或裸片邊緣離層是晶圓級封裝常見的熱機械失效模式。此外，裸片邊緣是一個特別敏感的區(qū)域，我們必須給予更多的關(guān)注。事實上，扇入型封裝裸片是暴露于空氣中的（裸片周圍沒有模壓復(fù)合物覆蓋），容易被化學(xué)物質(zhì)污染或發(fā)生現(xiàn)象。所涉及的原因很多，例如晶圓切割工序未經(jīng)優(yōu)化，密封環(huán)結(jié)構(gòu)缺陷(密封環(huán)是指裸片四周的金屬花紋，起到機械和化學(xué)防護作用)。此外，由于焊球非?？拷g化層，焊球工序與線路后端?？赡軙嗷ビ绊?。先進封裝技術(shù)的特征是封裝小型化、模型化、高密度和高可靠，主要用于計算和通信領(lǐng)域的邏輯器件和存儲芯片的封測，進一步滲透到移動領(lǐng)域的模擬和射頻市場，成長空間大，是未來技術(shù)發(fā)展的主要方向。

WLCSP此封裝不同于傳統(tǒng)的先切割晶圓，再組裝測試的做法，而是先在整片晶圓上進行封裝和測試，然后再切割。半導(dǎo)體生產(chǎn)流程如下：由晶圓制造、晶圓測試、芯片封裝和封裝后測試組成。半導(dǎo)體封裝測試是指將通過測試的晶圓按照產(chǎn)品型號及功能需求加工得到獨立芯片的過程。Single-ended此封裝形式的特點是引腳全部在一邊，而且引腳的數(shù)量通常比較少。它又可分為：導(dǎo)熱型，像常用的功率三極管，只有三個引腳排成一排，其上面有一個大的散熱片。CIS封裝行業(yè)主要是中國臺灣和大陸企業(yè)，19年一家科技公司關(guān)閉12寸CIS封裝線之后，全球主流的兩條12寸封裝線只有另外兩家科技公司。

半導(dǎo)體器件有許多封裝形式，按封裝的外形、尺寸、結(jié)構(gòu)分類可分為引腳插入型、表面貼裝型和封裝三類。從DIP、SOP、QFP、PGA、BGA到CSP再到SIP，技術(shù)指標(biāo)一代比一代先進。WLCSP有著更明顯的優(yōu)勢：是工藝大大優(yōu)化，晶圓直接進入封裝工序，而傳統(tǒng)工藝在封裝之前還要對晶圓進行切割、分類；CSP(ChipScalePackage)：芯片級封裝，該方式相比BGA同等空間下可以將存儲容量提升三倍，是由日本公司提出來的。所有集成電路一次封裝，刻印工作直接在晶圓上進行，設(shè)備測試一次完成，有別于傳統(tǒng)組裝工藝。20世紀(jì)80年代初發(fā)源于美國，為解決單一芯片封裝集成度低和功能不夠完善的問題，把多個高集成度、、高可靠性的芯片，在高密度多層互聯(lián)基板上組成多種多樣的電子模塊系統(tǒng)，從而出現(xiàn)多芯片模塊系統(tǒng)。

所謂封裝測試其實就是封裝后測試,把已制造完成的半導(dǎo)體元件進行結(jié)構(gòu)及電氣功能的確認(rèn)，以保證半導(dǎo)體元件符合系統(tǒng)的需求的過程稱為封裝后測試。WLCSP有著更明顯的優(yōu)勢：是工藝大大優(yōu)化，晶圓直接進入封裝工序，而傳統(tǒng)工藝在封裝之前還要對晶圓進行切割、分類；他們封裝測試設(shè)備需要更加貼近消費者市場，以支持產(chǎn)品創(chuàng)新，實現(xiàn)規(guī)模經(jīng)濟效益。所有集成電路一次封裝，刻印工作直接在晶圓上進行，設(shè)備測試一次完成，有別于傳統(tǒng)組裝工藝。Dual此封裝形式的特點是引腳全部在兩邊，而且引腳的數(shù)量不算多。它的封裝形式比較多，又可細(xì)分為SOT、SOP、SOJ、SSOP、HSOP及其他。