模擬電路與數(shù)字電路的區(qū)別是什么？

模擬電路與數(shù)字電路的區(qū)別

1.電路的輸入、輸出信號(hào)的類型不同     數(shù)電：工作信號(hào)是數(shù)字信號(hào)“0”“1”，且信號(hào)的幅度只有高低兩種電平，數(shù)值上是離散的。     模擬：隨時(shí)間緩慢變化的信號(hào)，數(shù)值上是連續(xù)的。                            

2.對(duì)電路的要求不同

數(shù)電：是實(shí)現(xiàn)輸入輸出的數(shù)字量之間實(shí)現(xiàn)一定的邏輯關(guān)系。

模電：要求電路實(shí)現(xiàn)模擬信號(hào)的放大、變換、產(chǎn)生。

3.電路中三極管的作用和工作區(qū)域不同      數(shù)電：三極管作為開關(guān)使用且工作在截至和飽和區(qū)。

模電：三極管作為放大元件，其工作在放大區(qū)。

4.所有的分析方法不同

數(shù)電：主要分析輸入輸出信號(hào)之間的邏輯關(guān)系，使用邏輯代數(shù)，真值表、卡諾圖等分析方法。

模電：通常采用圖解法和微變等效電路法。

現(xiàn)在的嵌入式系統(tǒng)，電子電路設(shè)計(jì)一般都是數(shù)字電路，只有數(shù)字信號(hào)，高低兩種電平，只要分析輸入輸出信號(hào)的邏輯關(guān)系，不需要自己設(shè)計(jì)復(fù)雜的電子電路，簡化了硬件設(shè)計(jì)的工作量、復(fù)雜度和調(diào)試周期。

數(shù)字IC設(shè)計(jì)工程師要具備哪些技能

學(xué)習(xí)“數(shù)字集成電路基礎(chǔ)”是一切的開始，可以說是進(jìn)入數(shù)字集成電路門檻的步。CMOS制造工藝是我們了解芯片的節(jié)課，從生產(chǎn)過程（宏觀）學(xué)習(xí)芯片是怎么來的，這一步，可以激發(fā)學(xué)習(xí)的興趣，產(chǎn)生學(xué)習(xí)的動(dòng)力。

接下來，從微觀角度來學(xué)習(xí)半導(dǎo)體器件物理，了解二極管的工作原理。進(jìn)而學(xué)習(xí)場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理，這將是我們搭電路的積木。

導(dǎo)線是什么？這是一個(gè)有趣的話題，電阻、電容、電感的相互作用，產(chǎn)生和干擾，也是數(shù)字電路要解決的重要問題。

門電路是半定制數(shù)字集成電路的積木（Stardard Cell），所有的邏輯都將通過它們的實(shí)現(xiàn)。

存儲(chǔ)器及其控制器，本質(zhì)上屬于數(shù)?；旌想娐?。但由于計(jì)算機(jī)等復(fù)雜系統(tǒng)中存儲(chǔ)器的日新月異，存儲(chǔ)器的控制器由邏輯層（數(shù)字）和物理層（模擬）一起實(shí)現(xiàn)。

FPGA是可編程門陣列，就是提前生產(chǎn)好的ASIC芯片，可以改配置文件，來實(shí)現(xiàn)不同的功能。常常用于芯片Tapeout前的功能驗(yàn)證，或者用于基于FPGA的系統(tǒng)產(chǎn)品（非ASIC實(shí)現(xiàn)方案，快速推向市場(chǎng)）。

可測(cè)試性設(shè)計(jì)（即Design For Test），通常用來檢測(cè)和調(diào)試生產(chǎn)過程中的良率問題。封裝和測(cè)試是芯片交給客戶的后一步。似乎這些與狹義的數(shù)字電路設(shè)計(jì)不相關(guān)，但這恰恰公司降低成本的秘訣。

后，還需要了解數(shù)字電路與模擬電路的本質(zhì)區(qū)別，這將會(huì)幫助我們?nèi)趨R貫通所學(xué)的知識(shí)。

IC半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí)(一)

一、物理基礎(chǔ)    所有物質(zhì)按照導(dǎo)電能力的差別可分為導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體三類。半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間?；蛘哒f，半導(dǎo)體是介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)。常用的半導(dǎo)體材料有：元素半導(dǎo)體硅(Si)和鍺(Ge)、化合物半導(dǎo)體(GaAs)等?？煽啃裕≧eliability）則是對(duì)產(chǎn)品耐久力的測(cè)量，它回答了一個(gè)產(chǎn)品生命周期有多長，簡單說，它能用多久的問題。導(dǎo)體的電阻率在10-4Ω?cm以下，如銅的電阻率為1.67×10-6 Ω?cm，絕緣體的電阻率在1010 Ω?cm以上，半導(dǎo)體的電阻率在10-3Ω?cm～109Ω?cm之間，與導(dǎo)體的電阻率相比較，半導(dǎo)體的電阻率有以下特點(diǎn)。

1.對(duì)溫度反映靈敏

導(dǎo)體的電阻率隨溫度的升高略有升高，如銅的電阻率僅增加0.4%左右，但半導(dǎo)體的電阻率則隨溫度的上升而急劇下降，如純鍺，溫度從20℃上升到30℃時(shí)，電阻率降低一半左右。

2.雜質(zhì)的影響顯著

金屬中含有少量雜質(zhì)其電阻率不會(huì)發(fā)生顯著變化，但是，極微量的雜質(zhì)摻在半導(dǎo)體中，會(huì)引起電阻率的極大變化。如在純硅中加入百萬分之一的硼，就可以使硅的電阻率從2.3×105 Ω?cm急劇減少到0.4 Ω?cm左右。

3.光照可以改變電阻率

例如，有些半導(dǎo)體(如)受到光照時(shí)，其導(dǎo)電能力會(huì)變得很強(qiáng)；當(dāng)無光照時(shí)，又變得像絕緣體那樣不導(dǎo)電，利用這種特性可以制成光敏元件。而金屬的電阻率則不受光照的影響。

溫度、雜質(zhì)、光照對(duì)半導(dǎo)體電阻率的上述控制作用是制作各種半導(dǎo)體器件的物理基礎(chǔ)。