金屬蝕刻標(biāo)牌

通常所指蝕刻也稱光化學(xué)蝕刻（photochemical etching），指通過(guò)曝光制版、顯影后，將要蝕刻區(qū)域的保護(hù)膜去除，在蝕刻時(shí)接觸化學(xué)溶液，達(dá)到溶解腐蝕的作用，形成凹凸或者鏤空成型的效果。

最早可用來(lái)制造銅版、鋅版等印刷凹凸版，也廣泛地被使用于減輕重量(Weight Reduction)儀器鑲板，銘牌及傳統(tǒng)加工法難以加工之薄形工件等的加工；在氨性蝕刻中﹐假定所有參數(shù)不變﹐那么蝕刻的速率將主要由蝕刻液中的氨（NH3）來(lái)決定。經(jīng)過(guò)不斷改良和工藝設(shè)備發(fā)展，亦可以用于航空、機(jī)械、化學(xué)工業(yè)中電子薄片零件精密蝕刻產(chǎn)品的加工，特別在半導(dǎo)體制程上，蝕刻更是不可或缺的技術(shù)。

蝕刻過(guò)程中應(yīng)注意的問(wèn)題

1. 減少側(cè)蝕和突沿﹐提高蝕刻系數(shù)

側(cè)蝕會(huì)產(chǎn)生突沿。 通常印制板在蝕刻液中的時(shí)間越長(zhǎng), 側(cè)蝕的情況越嚴(yán)重。 側(cè)蝕將嚴(yán) 重影響印制導(dǎo)線的精度﹐ 嚴(yán)重的側(cè)蝕將不可能制作精細(xì)導(dǎo)線。 當(dāng)側(cè)蝕和突沿降低時(shí)﹐蝕刻 系數(shù)就會(huì)升高﹐高蝕刻系數(shù)表示有保持細(xì)導(dǎo)線的能力﹐使蝕刻后的導(dǎo)線能接近原圖尺寸。 無(wú)論是錫-鉛合金﹐錫﹐錫-鎳合金或鎳的電鍍蝕刻劑, 突沿過(guò)度時(shí)都會(huì)造成導(dǎo)線短路。主要查采用掩膜、蝕刻后處理三步進(jìn)行加工制做而成的凸字金屬標(biāo)牌或凹字金屬標(biāo)牌。

因?yàn)樯习迕嬗腥芤旱亩逊e﹐減弱了蝕刻反應(yīng)的進(jìn)行, 但可以通過(guò)調(diào)整上 下噴嘴的噴淋壓力來(lái)解決上下板面蝕刻不均的現(xiàn)象。 蝕刻工藝的一個(gè)普遍問(wèn)題是在相同的時(shí)間里使全部板面都蝕刻干凈是很難做 到的。 因基板的邊緣位置比中心部位蝕刻得更快, 故很難做到同時(shí)使全部蝕刻都干 凈。 而采用噴淋系統(tǒng)并使噴嘴擺動(dòng)噴射是一個(gè)有效的解決措施。 要更進(jìn)一步地改 善, 可以透過(guò)對(duì)板中心和邊緣處不同的噴淋壓力, 以及對(duì)板前沿和板后端采用間歇 蝕刻的方法﹐達(dá)到整個(gè)板面的蝕刻均勻性。企業(yè)方（客戶方）可根據(jù)自身的情況與設(shè)計(jì)者交流，參照以往的工程案例，經(jīng)驗(yàn)和其他參考資料，整合出一個(gè)概念，其中包括用材、用色、效果、成本、節(jié)能，售后維護(hù)等多方位考慮。

光刻和蝕刻技術(shù)，用光膠、掩膜、和紫外光進(jìn)行微制造，由薄膜沉積，光刻和蝕刻 三個(gè)工序組成。 ? 光刻前首先要在基片表面覆蓋一層薄膜，薄膜的厚度為數(shù)埃到幾十微米，稱為薄膜 沉積。然后在薄膜表面用甩膠機(jī)均勻地覆蓋上一層光膠，將掩膜上微流控芯片設(shè)計(jì) 圖案通過(guò)曝光成像的原理轉(zhuǎn)移到光膠層的工藝過(guò)程稱為光刻。 ?金屬采用焊接，折彎，洗槽，車(chē)床，水切割，線切割，打磨，拋光，拉絲，電鍍，氧化，腐濁，烤漆。 光刻的質(zhì)量則取決于光抗蝕劑（有正負(fù)之分）和光刻掩膜版的質(zhì)量。掩膜的基本功 能是基片受到光束照射（如紫外光）時(shí)，在圖形區(qū)和非圖形區(qū)產(chǎn)生不同的光吸收和 透過(guò)能力。