CVD 制備銥高溫涂層人們之所以對作涂層材料感興趣是由于這類金屬優(yōu)良的性能 。銥具有較強(qiáng)的能力和較高的熔點(diǎn)而受到重視, 是一種較理想的高溫涂層材料 。

20 世紀(jì) 60 年代以來, 世界航空航天技術(shù)飛速發(fā)展,一些高熔點(diǎn)材料(如石墨碳和鎢鉬鉭鈮等難熔金屬)被大量使用,但這些材料的一個共同的致命缺點(diǎn)是能力差。

60 年代美國材料實(shí)驗(yàn)室(AFML)對石墨碳的銥保護(hù)涂層進(jìn)行過大量的研究, 采用了多種成型方法制備銥涂層 ,其中包括化學(xué)氣相沉積法 。雖然沒有制備出質(zhì)量令人滿意的厚銥涂層, 但仍認(rèn)為 CVD 是一種非常有希望且值得進(jìn)一步研究的方法。

射頻等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（RF-PCVD）

在低壓容器的兩極上加高頻電壓則產(chǎn)生射頻放電形成等離子體，射頻電源通常采用電容耦合或電感耦合方式，其中又可分為電極式和無電極式結(jié)構(gòu)，電極式一般采用平板式或熱管式結(jié)構(gòu)，優(yōu)點(diǎn)是可容納較多工件，但這種裝置中的分解率遠(yuǎn)低于1%，即等離子體的內(nèi)能不高。電極式裝置設(shè)在反應(yīng)容器外時，主要為感應(yīng)線圈，如圖5，也叫無極環(huán)形放電，射頻頻率為13.56MHz。

對于需要更高的表面形態(tài)質(zhì)量的應(yīng)用（對于粗糙度，晶粒尺寸，化學(xué)計(jì)量和其他要求比沉積速率更重要的應(yīng)用），濺射工藝似乎是一種替代方法。由于在冷卻過程中隨著溫度或基材（聚合物）熔化溫度的降低而產(chǎn)生的應(yīng)力，沉積過程對某些應(yīng)用提出了溫度限制。這導(dǎo)致濺射工藝在PVD沉積技術(shù)中變得更加重要，同時又不會忘記基于濺射工藝的新技術(shù)的出現(xiàn)，以滿足不斷增長的市場需求。