高壓整流橋越來越受到電源行業(yè)采購青睞的原因

為什么高壓整流橋會(huì)如此受到熱捧

我們知道早期的電源產(chǎn)品因?yàn)殡娮有袠I(yè)技術(shù)水平有限，所以大多電源都采用了低壓整流設(shè)計(jì)，將市電220V接入之后先經(jīng)過變壓器降到工作電壓，再經(jīng)過整流橋做低壓整流。

因?yàn)樵诋?dāng)時(shí)的技術(shù)工藝條件下，二極管芯片只能做到很低的耐壓,j口高壓大功率元器件比較少并且價(jià)格昂貴,所以電源整流方式基本都采用了這種傳統(tǒng)電路。這種電路的缺陷是電路中功率元器件會(huì)有一定損耗,導(dǎo)致終輸出電壓下降，工頻變壓器大而笨重，不利于產(chǎn)品的普及,那么如何可以解決這個(gè)功能缺陷呢？

隨著工藝技術(shù)水平的進(jìn)步二極管整流芯  片技術(shù)的不斷推出成新，耐電壓水平越做越高。大功率高壓元器件價(jià)格也逐漸降低,于是  采用高壓芯片的整流橋逐漸占據(jù)市場主流。高壓整流橋電路結(jié)構(gòu)可以設(shè)計(jì)為市電220V接  入，先做高壓整流再利用開關(guān)變壓器進(jìn)行減壓的方式。很好解決低壓整流效率的不足,體  積更小輕便,并且高壓整流橋適用范圍也為廣泛，所以逐漸贏得市場的追捧。

同方迪一分享整流橋的主要參數(shù)

整流橋的本質(zhì)是二極管，所以整流橋的主要參數(shù)與二極管類似。

①反向峰值電壓（VRRM）：整流橋能承受的反向電壓*大值，超過此值,整流橋擊穿。示例中GBJ2510反向峰值電壓為1000V。

②平均整流電流（Io）:整流橋長期工作時(shí)所能承受的流過的*大電流，超過這個(gè)值整流橋熱擊穿。示例中全系列整流橋的平均整流電流在帶散熱片的條件下為25A，不帶散熱片的條件下為4A。

③正向峰值浪涌電流（IFSM）：整流橋能扛住的瞬間電流沖擊*大值，超過此值，整流橋損壞。示例中全系列整流橋能在半個(gè)周期內(nèi)扛住的*大沖擊電流為320A。

同方迪一講解橋式整流橋的應(yīng)用與作用

橋式整流橋的應(yīng)用

橋式整流器電路克服了全波整流器電路的缺陷，該缺陷要求變壓器次級(jí)具有中心抽頭，并且二極管承受較大的背壓，但是要使用兩個(gè)以上的二極管。隨著半導(dǎo)體設(shè)備的快速發(fā)展和低成本，這種缺陷并不突出，因此橋式整流電路在實(shí)踐中得到了廣泛的應(yīng)用。

需要特別指出的是，應(yīng)根據(jù)不同的整流方法和負(fù)載大小選擇作為整流元件的二極管。如果選擇不當(dāng)，可能會(huì)導(dǎo)致操作不安全，甚至燒毀管道。否則可能會(huì)被取消資格和浪費(fèi)。

橋式整流橋的作用

1.將通信發(fā)生器產(chǎn)生的通信功率轉(zhuǎn)換為直流電，為電氣設(shè)備供電并為電池充電；

2.它限制了電池流回發(fā)電機(jī)的電流，以防止發(fā)電機(jī)被反向電流燒壞。

同方迪一DB207S整流橋的結(jié)構(gòu)與參數(shù)選擇的方法介紹

整流橋DB207S的結(jié)構(gòu)

整流橋通常是由兩只或四只整流硅芯片作橋式連接，DB207S也不例外。 兩只的為半橋，四只的則稱全橋。外部采用絕緣朔料封裝而成，大功率整流橋在絕緣層外添加鋅金屬殼包封，增強(qiáng)散熱性能。

整流橋DB207S參數(shù)選擇

隔離式開關(guān)電源一般采用由整流管 構(gòu)成的整流橋，亦可直接選用成品整流橋，完成橋式整流。全波橋式整流器簡稱硅整流橋，它是將四只硅整流管接成橋路形式，再用塑料封裝而成的半導(dǎo)體器件。它具有體積小、使用方便、各整流管的參數(shù)一致性好等優(yōu)點(diǎn)， 可廣泛用于開關(guān)電源的整流電路。硅整流橋有4個(gè)引出端，其中交流輸入端、直流輸出端各兩個(gè)。

硅整流橋的大整流電流平均值分0.5 ~ 40A等多種規(guī)格，高反向工作電壓有50~ 1000V等多種規(guī)格。小功率硅整流橋可直接焊在印刷板上，大、中功率硅整流橋則要用螺釘固定，并且需安裝合適的散熱器。所以整流橋的參數(shù)選擇很重要，選不好還有可能會(huì)造成炸機(jī)的危險(xiǎn)哦。