化學氣相沉積的應用

現(xiàn)代科學和技術需要使用大量功能各異的無機新材料，這些功能材料必須是高純的，或者是在高純材料中有意地摻入某種雜質形成的摻雜材料。但是，我們過去所熟悉的許多制備方法如高溫熔煉、水溶液中沉淀和結晶等往往難以滿足這些要求，也難以保證得到高純度的產(chǎn)品。因此，無機新材料的合成就成為現(xiàn)代材料科學中的主要課題。等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）技術是借助于輝光放電等離子體使含有薄膜組成的氣態(tài)物質發(fā)生化學反應，從而實現(xiàn)薄膜材料生長的一種新的制備技術。

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化學氣相沉積技術在材料制備中的使用

化學氣相沉積法生產(chǎn)晶體、晶體薄膜

化學氣相沉積法不但可以對晶體或者晶體薄膜性能的改善有所幫助，而且也可以生產(chǎn)出很多別的手段無法制備出的一些晶體?；瘜W氣相沉積法常見的使用方式是在某個晶體襯底上生成新的外延單晶層，開始它是用于制備硅的，后來又制備出了外延化合物半導體層。它在金屬單晶薄膜的制備上也比較常見（比如制備 W、Mo、Pt、Ir 等）以及個別的化合物單晶薄膜（例如鐵酸鎳薄膜、釔鐵石榴石薄膜、鈷鐵氧體薄膜等）。金屬和炭組成的簇膜是一種輸送多孔催化活性強的簇膜，在電極材料上的使用在未來將很有潛力。

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