ICP刻蝕機(jī)簡(jiǎn)介

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一．系統(tǒng)概況

該系統(tǒng)主要用于常規(guī)尺寸樣片（不超過(guò)Φ6）的刻蝕，可刻蝕的材料主要有SiO2、Si3N4、多晶硅、

硅、SiC、GaN、GaAs、ITO、AZO、光刻膠、半導(dǎo)體材料、部分金屬等。設(shè)備具有選擇比高、刻

蝕速率快、重復(fù)性好等優(yōu)點(diǎn)。具體描述如下：

1.系統(tǒng)采用單室方箱式結(jié)構(gòu)，手動(dòng)上開(kāi)蓋結(jié)構(gòu)；

2.真空室組件及配備零部件全部采用鋁材料制造，真空尺寸為400mm×400×197mm，

內(nèi)腔尺寸Ф340mm×160mm；

3.極限真空度：≤6.6x10-4 Pa (經(jīng)烘烤除氣后，采用FF160/600分子泵抽氣)；

系統(tǒng)真空檢漏漏率：≤5.0x10-7 Pa.l/S；

系統(tǒng)從大氣開(kāi)始抽氣到5.0x10-3 Pa，20分鐘可達(dá)到（采用分子泵抽氣)；

停泵關(guān)機(jī)12小時(shí)后真空度：≤5 Pa；

4.采用樣品在下，噴淋頭在上噴淋式進(jìn)氣方式；

5.樣品水冷：由循環(huán)水冷水機(jī)進(jìn)行控制；

7.ICP頭尺寸：340mm mm，噴淋頭與樣品之間電極間距50mm；

8. 沉積工作真空：1-20Pa；

9. 氣路設(shè)有勻氣系統(tǒng)，真空室內(nèi)設(shè)有保證抽氣均勻性抽氣裝置；

10. 射頻電源：2臺(tái)頻率 13.56MHz，功率600W，全自動(dòng)匹配；

11. 6路氣體，共計(jì)使用6個(gè)質(zhì)量流量控制器控制進(jìn)氣。

氣體：氦氣/氧氣/四氟化碳/六氟化硫

12. 刻蝕速率

SiO2：≥0.5μm/min

Si：≥1μm/min

光刻膠：≥1μm/min

13. 刻蝕不均勻性：

優(yōu)于±5%（Φ4英寸范圍內(nèi)）

優(yōu)于±6%（Φ6英寸范圍內(nèi)）

14. 選擇比

CF4的選擇比為50,

化學(xué)氣相沉積的原理

沈陽(yáng)鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司專業(yè)生產(chǎn)、銷售化學(xué)氣相沉積，我們?yōu)槟治鲈摦a(chǎn)品的以下信息。

化學(xué)氣相沉積技術(shù)是應(yīng)用氣態(tài)物質(zhì)在固體上產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)和傳輸反應(yīng)等并產(chǎn)生固態(tài)沉積物的一種工藝，它大致包含三步：

（1）形成揮發(fā)性物質(zhì) ；

（2）把上述物質(zhì)轉(zhuǎn)移至沉積區(qū)域 ；

（3）在固體上產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)并產(chǎn)生固態(tài)物質(zhì) ?；镜幕瘜W(xué)氣相沉積反應(yīng)包括熱分解反應(yīng)、化學(xué)合成反應(yīng)以及化學(xué)傳輸反應(yīng)等集中。