雙靶磁控濺射鍍膜系統(tǒng)

設(shè)備用途：

用于納米級(jí)單層及多層功能膜、硬質(zhì)膜、金屬膜、半導(dǎo)體膜、介質(zhì)膜等新型薄膜材料的制備?？蓮V泛應(yīng)用于大專院校、科研院所的薄膜材料的科研與小批量制備。同時(shí)設(shè)備具有反濺射清洗功能，以提高膜的質(zhì)量和牢固度。

設(shè)備組成

系統(tǒng)主要由濺射真空室、永磁磁控濺射靶（2個(gè)靶）、單基片加熱臺(tái)、直流電源、射頻電源、工作氣路、抽氣系統(tǒng)、真空測(cè)量、電控系統(tǒng)及安裝機(jī)臺(tái)等部分組成。

以上就是關(guān)于磁控濺射產(chǎn)品的相關(guān)內(nèi)容介紹，如有需求，歡迎撥打圖片上的熱線電話！

磁控濺射的種類介紹

磁控濺射包括很多種類。各有不同工作原理和應(yīng)用對(duì)象。但有一共同點(diǎn)：利用磁場(chǎng)與電場(chǎng)交互作用，使電子在靶表面附近成螺旋狀運(yùn)行，從而增大電子撞擊氣產(chǎn)生離子的概率。所產(chǎn)生的離子在電場(chǎng)作用下撞向靶面從而濺射出靶材。

靶源分平衡式和非平衡式，平衡式靶源鍍膜均勻，非平衡式靶源鍍膜膜層和基體結(jié)合力強(qiáng)。磁控濺射的工作原理是指電子在電場(chǎng)E的作用下，在飛向基片過(guò)程中與原子發(fā)生碰撞，使其電離產(chǎn)生出Ar正離子和新的電子。平衡靶源多用于半導(dǎo)體光學(xué)膜，非平衡多用于磨損裝飾膜。磁控陰極按照磁場(chǎng)位形分布不同，大致可分為平衡態(tài)磁控陰極和非平衡態(tài)磁控陰極。平衡態(tài)磁控陰極內(nèi)外磁鋼的磁通量大致相等，兩極磁力線閉合于靶面，很好地將電子/等離子體約束在靶面附近，增加了碰撞幾率，提高了離化效率，因而在較低的工作氣壓和電壓下就能起輝并維持輝光放電，靶材利用率相對(duì)較高。

但由于電子沿磁力線運(yùn)動(dòng)主要閉合于靶面，基片區(qū)域所受離子轟擊較小。非平衡磁控濺射技術(shù)，即讓磁控陰極外磁極磁通大于內(nèi)磁極，兩極磁力線在靶面不完全閉合，部分磁力線可沿靶的邊緣延伸到基片區(qū)域，從而部分電子可以沿著磁力線擴(kuò)展到基片，增加基片磁控濺射區(qū)域的等離子體密度和氣體電離率。1-10Pa的氣或其它惰性氣體，在陰極（靶）1-3KV直流負(fù)高壓或13。不管平衡還是非平衡，若磁鐵靜止，其磁場(chǎng)特性決定了一般靶材利用率小于30%。為增大靶材利用率，可采用旋轉(zhuǎn)磁場(chǎng)。但旋轉(zhuǎn)磁場(chǎng)需要旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，同時(shí)濺射速率要減小。旋轉(zhuǎn)磁場(chǎng)多用于大型或貴重靶，如半導(dǎo)體膜濺射。對(duì)于小型設(shè)備和一般工業(yè)設(shè)備，多用磁場(chǎng)靜止靶源。

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自動(dòng)磁控濺射系鍍膜機(jī)介紹

以下內(nèi)容由沈陽(yáng)鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司為您提供，希望對(duì)同行業(yè)的朋友有所幫助。

自動(dòng)磁控濺射系統(tǒng)選配項(xiàng)：

RF、DC濺射

熱蒸鍍能力

RF或DC偏壓（1000V）

樣品臺(tái)可加熱到700°C

膜厚監(jiān)測(cè)儀

基片的RF射頻等離子清洗

應(yīng)用：

晶圓片、陶瓷片、玻璃白片以及磁頭等的金屬以及介質(zhì)涂覆

光學(xué)以及ITO涂覆

帶高溫樣品臺(tái)和脈沖DC電源的硬涂覆

帶RF射頻等離子放電的反應(yīng)濺射