光刻膠簡(jiǎn)介

賽米萊德——專業(yè)光刻膠供應(yīng)商，我們?yōu)槟鷰?lái)以下信息。

光刻膠是微電子技術(shù)中微細(xì)圖形加工的關(guān)鍵材料之一，特別是近年來(lái)大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路的發(fā)展，更是大大促進(jìn)了光刻膠的研究開(kāi)發(fā)和應(yīng)用。印刷工業(yè)是光刻膠應(yīng)用的另一重要領(lǐng)域。1954 年由明斯克等人首先研究成功的就是用于印刷工業(yè)的，以后才用于電子工業(yè)。 [1]  光刻膠是一種有機(jī)化合物，它被紫外光曝光后，在顯影溶液中的溶解度會(huì)發(fā)生變化。硅片制造中所用的光刻膠以液態(tài)涂在硅片表面，而后被干燥成膠膜。

光刻膠分類情況是怎樣

1、光聚合型。2、光分解型，采用含有疊氮醌類化合物的材料，經(jīng)光照后，會(huì)發(fā)生光分解反應(yīng)，由油溶性變?yōu)樗苄?，可以制成正性膠。

3、光交聯(lián)型，采用聚乙烯醇月桂酸酯等作為光敏材料，在光的作用下，其分子中的雙鍵被打開(kāi)，并使鏈與鏈之間發(fā)生交聯(lián)，形成一種不溶性的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，而起到抗蝕作用，這是一種典型的負(fù)性光刻膠?？逻_(dá)公司的產(chǎn)品KPR膠即屬此類。

上述內(nèi)容主要所描述的就是小編對(duì)于光刻膠是什么材料？光刻膠分類情況是怎樣的具體介紹，不同情況下面，大家使用的一些材料上存在著很大的差距，所以在這以前，有些方面情況上到底是怎樣，這些是都得根據(jù)細(xì)節(jié)狀況來(lái)的，對(duì)于物品調(diào)查辦理前，一定也是不可以盲目做下定論，否則也容易為自己以后操作出現(xiàn)影響。

微流控芯片硅片模具加工如何選擇光刻膠呢？

賽米萊德專業(yè)生產(chǎn)、銷售光刻膠，我們?yōu)槟治鲈摦a(chǎn)品的以下信息。

一般來(lái)說(shuō)線寬的用正膠,線窄的用負(fù)膠，正性光刻膠比負(fù)性的精度要高，負(fù)膠顯影后圖形有漲縮，負(fù)性膠限制在2~3μm.，而正性膠的分辨力優(yōu)于0.5μm 導(dǎo)致影響精度，正性膠則無(wú)這方面的影響。雖然使用更薄的膠層厚度可以改善負(fù)性膠的分辨率，但是薄負(fù)性膠會(huì)影響。同種厚度的正負(fù)膠，在對(duì)于抗?jié)穹ê透g性方面負(fù)膠更勝一籌，正膠難以企及。

光刻是整個(gè)集成電路制造過(guò)程中耗時(shí)長(zhǎng)、難度大的工藝，耗時(shí)占IC制造50%左右，成本約占IC生產(chǎn)成本的1/3。光刻膠是光刻過(guò)程重要的耗材，光刻膠的質(zhì)量對(duì)光刻工藝有著重要影響。

光刻是將圖形由掩膜版上轉(zhuǎn)移到硅片上，為后續(xù)的刻蝕步驟作準(zhǔn)備。在光刻過(guò)程中，需在硅片上涂一層光刻膠，經(jīng)紫外線曝光后，光刻膠的化學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化，在通過(guò)顯影后，被曝光的光刻膠將被去除，從而實(shí)現(xiàn)將電路圖形由掩膜版轉(zhuǎn)移到光刻膠上。再經(jīng)過(guò)刻蝕過(guò)程，實(shí)現(xiàn)電路圖形由光刻膠轉(zhuǎn)移到硅片上。在刻蝕過(guò)程中，光刻膠起防腐蝕的保護(hù)作用。

以上就是為大家介紹的全部?jī)?nèi)容，希望對(duì)大家有所幫助。如果您想要了解更多光刻膠的知識(shí)，歡迎撥打圖片上的熱線聯(lián)系我們。