IGBT測試裝置技術(shù)要求 （1）設(shè)備功能 IGBT模塊檢測裝置是用于IGBT的靜態(tài)參數(shù)測試。系統(tǒng)的測試原理符合相應(yīng)的國家標(biāo)準(zhǔn)，系統(tǒng)為獨立式單元，封閉式結(jié)構(gòu)，具有升級擴展?jié)撃堋?IGBT模塊檢測裝置是用于IGBT的靜態(tài)參數(shù)測試，在IGBT的檢測中，采用大電流脈沖對IGBT進行VCE飽和壓降及續(xù)流二極管壓降的檢測。為提供穩(wěn)定的大電流脈沖，采用了支撐電容補償及步進充電的方法，解決IGBT進行VCE飽和壓降及續(xù)流二極管壓降的檢測問題。測試過程簡單，既可以在測試主機里設(shè)置參數(shù)直接測試，又可以通過軟件控制主機編程后進行自動測試。

大功率半導(dǎo)體器件為何有老化的問題？

任何產(chǎn)品都有設(shè)計使用壽命，同一種產(chǎn)品不同的使用環(huán)境和是否得到相應(yīng)的維護，延長產(chǎn)品使用壽命和設(shè)備良好運行具有極為重要。功率元件由于經(jīng)常有大電流往復(fù)的沖擊，對半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)均具有一定的耗損性及破壞性，若其工作狀況又經(jīng)常在其安全工作區(qū)的邊緣，更會加速元件的老化程度，故元件老化，就如人的老化一樣是不可避免的問題。半導(dǎo)體元件有許多參數(shù)都很重要，有些參數(shù)如：放大倍率，觸發(fā)參數(shù)，閂扣，保持參數(shù)，崩潰電壓等，是提供給工程師在設(shè)計電路時的依據(jù)，在檢測元件是否有老化的現(xiàn)象時，僅須測量導(dǎo)通參數(shù)及漏電流二項即可。

3.1開通時間Ton測試原理框圖 圖3-1開通時間測試原理框圖 其中：Vcc 試驗電壓源 ±VGG 柵極電壓 C1 箝位電容 Q1 陪測器件（實際起作用的是器件中的續(xù)流二極管） L 負載電感 ：100uH、200uH、500uH、1000uH自動切換 IC 集電極電流取樣電流傳感器 DUT 被測器件 開通時間定義（見下圖）：柵極觸發(fā)信號第二個脈沖上升的10%到集電極電流IC上升到10%的時間間隔為開通延遲時間td （on） ，集電極電流IC上升的10%到90%的時間間隔即為電流上升時間tr ，則ton= td （on） tr