影響鍍膜機(jī)磁控靶點(diǎn)火電壓的幾個因素

氣體壓力對點(diǎn)火電壓的影響：在磁控靶濺射鍍膜工藝過程中，由于磁控靶的陰-陽極間距一經(jīng)確定就是一個大體不變的值，工作氣體的壓力在一定的(例如0.1Pa~10Pa)范圍內(nèi)變化可能會對點(diǎn)火電壓產(chǎn)生較大的影響，總的變化趨勢為：隨著工作氣體的壓力的逐步增大，磁控靶點(diǎn)火電壓相應(yīng)降低。不同的磁控靶、不同材質(zhì)的靶材，靶啟輝點(diǎn)火的工作氣體壓強(qiáng)不盡相同。

電源對點(diǎn)火電壓的影響：在同等條件下，選用射頻靶電源比選中頻或直流靶電源，磁控靶陰極點(diǎn)火電壓和工作(濺射)電壓都會要降低;選用射頻、中頻正弦半波或脈沖靶電源，比選低頻率同類波形靶電源，陰極點(diǎn)火電壓和工作(濺射)電壓均會要降低;

鍍膜設(shè)備類型：

—空氣：(1)進(jìn)口和出口區(qū)配備動態(tài)鎖定輥系統(tǒng)，確保帶材不間斷運(yùn)動(2)帶材緩沖器、連接和分離裝置以及放置于鍍膜機(jī)前、后端大氣中的放卷機(jī)和收卷機(jī)，以保證連續(xù)生產(chǎn)(3)生產(chǎn)周期僅受限于靶材/真空腔體內(nèi)蒸發(fā)物儲存量

—分批式：(1)真空工藝區(qū)入口和出口處連接的卷軸裝載鎖定腔體，使用帶材閥隔開(2)可在不中斷工藝真空的前提下裝載和卸載卷軸(3)生產(chǎn)周期為1卷軸的時間，然后停止，進(jìn)行卷軸更換；帶材廢料長度約為工藝部分的兩倍(4)電子束工藝配備額外的檔板，用以補(bǔ)償卷軸更換

鍍膜模式：單面鍍膜：(1)所有鍍膜工具均位于帶材的一側(cè)(2)使用電子束(EB)工藝時，（一般情況下）帶材的底側(cè)將被鍍膜雙面鍍膜：(1)鍍膜工具均位于帶材的一側(cè)，卷材改變走帶方向(2)需要二次鍍膜與傳動裝置配備

非接觸式鍍膜選項(xiàng)針對敏感的光學(xué)鍍膜，提供非接觸式機(jī)器概念。

PVD鍍膜膜層的特點(diǎn)及厚度

PVD鍍膜膜層的特點(diǎn),采用PVD鍍膜技術(shù)鍍出的膜層，具有高硬度、高耐磨性(低摩擦系數(shù))、很好的耐腐蝕性和化學(xué)穩(wěn)定性等特點(diǎn)，膜層的壽命更長;同時膜層能夠大幅度提高工件的外觀裝飾性能。 PVD鍍膜能夠鍍出的膜層種類,PVD鍍膜技術(shù)是一種能夠真正獲得微米級鍍層且無污染的環(huán)保型表面處理方法，它能夠制備各種單一金屬膜(如鋁、鈦、鋯、鉻等),氮化物膜(TiN、ZrN、CrN、TiAlN)和碳化物膜(TiC、TiCN),以及氧化物膜(如TiO等)。PVD鍍膜膜層的厚度—PVD鍍膜膜層的厚度為微米級，厚度較薄，一般為0.3μm～5μm，其中裝飾鍍膜膜層的厚度一般為0.3μm～1μm，因此可以在幾乎不影響工件原來尺寸的情況下提高工件表面的各種物理性能和化學(xué)性能，鍍后不須再加工。

真空鍍膜設(shè)備多弧離子鍍膜工藝

真空鍍膜設(shè)備多弧離子鍍膜工藝不僅避免了傳統(tǒng)表面處理的不足，且各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)都優(yōu)于傳統(tǒng)工藝，在五金、機(jī)械、化工、模具、電子、儀器等領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用。催化液和傳統(tǒng)處理工藝相比，在技術(shù)上有哪些？ 1、多弧離子鍍膜不用電、降低了成本、成本僅為多弧離子鍍膜鎳的二分之一，真空鍍膜機(jī)多弧離子鍍膜鉻的三分之一，不銹鋼的四分之一，可反復(fù)利用，大大降低了成本。 2、多弧離子鍍膜易操作、工藝簡單、把金屬基件浸入兌好的液體中“一泡即成”，需要再加工時不經(jīng)任何處理。