電池片的檢驗

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STF 印制：

A 級：

標(biāo)識要有虛印、粗印現(xiàn)象（字母線寬度應(yīng)小于 0.22mm   ）但仍可辨識時作為 A 級。若標(biāo)識存在缺印但仍可辨識時，按字母高度的 1/3 判定，缺失長度小于字母高度 1/3 。

B 級：

標(biāo)識要有虛印、粗印現(xiàn)象，字母線寬度應(yīng)小于 0.22mm   ，但仍可辨識時，如實心“ P ”，若標(biāo)識存在缺印但仍可辨識時，按字母高度的

1/3 判定，缺失長度小于字母高度 1/3 。

C 級：

若字母變形或無法辨識時直接降為 C 級。

新的標(biāo)準(zhǔn)與舊的相同

缺陷片：

1．   主柵線或副柵線或背電極或背電場超出 c 級降級片的要求時，但仍有利用價值的片子。

2．   由于存儲不當(dāng)造成成電極氧化時，直接以報廢片處理

3．   僅印刷烘干而沒有經(jīng)過燒結(jié)的電池片，如果還有利用價值，則租鋪位缺陷片處理

4．   完全未印制背電場的電池片作缺陷片處理。

5．   疊片仍有利用價值的作為缺陷片，如果全疊片則作為報廢片處理。

電池片的制作工藝

2. 短路電流

在一定的溫度和輻照條件下，太陽電池在端電壓為零時的輸出電流，通常用 I sc 來表示。

將 PN 結(jié)短路（ V=0 ），因而 IF=0 ，這時所得的電流為短路電流 Isc ，顯然有： I sc =  I L   ， I sc 與太陽電池的面積大小有關(guān)，面積越大，   I sc 越大。 I sc 與入射光的輻照度成正比。

3. 功率點(diǎn)

在太陽電池的伏安特性曲線上對應(yīng)大功率的點(diǎn)，又稱佳工作點(diǎn)。

4. 工作電壓

太陽電池伏安特性曲線上大功率點(diǎn)所對應(yīng)的電壓。通常用 V m 表示

5. 工作電流

太陽電池伏安特性曲線上大功率點(diǎn)所對應(yīng)的電流。通常用 I m 表示

6. 轉(zhuǎn)換效率

受光照太陽電池的大功率與入射到該太陽電池上的全部輻射功率的百分比。   η = V m  I m  / A t

P in 其中 V m 和 I m 分別為大輸出功率點(diǎn)的電壓和電流， A t 為太陽電池的總面積， P in 為單位面積太陽入射光的功率。

7. 填充因子

太陽電池的大功率與開路電壓和短路電流乘積之比，通常用 FF 表示：   FF = I m V m / I sc V oc

I sc V oc 是太陽電池的極限輸出功率， I m V m 是太陽電池的大輸出功率，填充因子是表征太陽電池性能優(yōu)劣的一個重要參數(shù)。

8. 電流溫度系數(shù)

在規(guī)定的試驗條件下，被測太陽電池溫度每變化 1 0 C   ，太陽電池短路電流的變化值，通常用 α 表示。對于一般晶體硅電池   α = 0.1%/ 0 C 。

9. 電壓溫度系數(shù)

在規(guī)定的試驗條件下，被測太陽電池溫度每變化 1 0 C   ，太陽電池開路電壓的變化值，通常用 β 表示。對于一般晶體硅電池   β  = - 0.38%/ 0 C 。    

電池片各工序影響因素及異常情況

電池片各工藝流程危害要素及異?，F(xiàn)象 

4.NaOH產(chǎn)生金字塔式絨面。NaOH濃度值越高，金字塔式容積越小，反映前期，金字塔式成核相對密度類似沒受NaOH濃度值危害，堿水溶液的腐蝕隨NaOH濃度值轉(zhuǎn)變比較顯著，濃度值高的NaOH水溶液與硅體現(xiàn)的速率加速，再反映過段時間后，金字塔式容積更大。NaOH濃度值超出必須界線時，各向異性系數(shù)縮小，絨面會愈來愈差，類似打磨拋光?？煽匦运剑号cIPA相近，線性度不高。 

5.Na2SiO3SI和NaOH反映生產(chǎn)制造的Na2SiO3和添加的Na2SiO3能具有緩沖劑的功效，使反映不會很強(qiáng)烈,變的輕緩。Na2SiO3使反映擁有大量的起始點(diǎn)，生長發(fā)育出的金字塔式更勻稱，更小一點(diǎn)兒Na2SiO3多的那時候要立即的排出去，Na2SiO3傳熱性差，會危害反映,水溶液的黏稠度也提升，非常容易產(chǎn)生水流、花藍(lán)印和表層黑斑。可控性水平：沒辦法操縱。4酸洗鈍化HCL除去硅片表層的金屬材料殘渣硫酸具備酸和絡(luò)合劑的雙向功效，硫酸鹽能與多種多樣金屬材料正離子產(chǎn)生可溶解與水的絡(luò)合物。6酸洗鈍化HF除去硅片表層空氣氧化層，SiO26HF=H2[siF6]2H2O。 

基準(zhǔn)點(diǎn)1．減薄量界定：硅片制絨前后左右的前后左右凈重差。操縱范疇多晶硅125，硅片薄厚在200±25μm左右，減薄量在0.5±0.2g；硅片薄厚在200±25μm左右，減薄量在0.4±0.2g。多晶硅156，首籃減薄量在0.7±0.2g；之后減薄量在0.6±0.2g。2．絨面分辨規(guī)范：成核相對密度高，尺寸適度，勻稱。

操縱范疇：多晶硅：金字塔式規(guī)格3~10um。3．外型無豁口，黑斑，裂痕，激光切割線，刮痕，凹痕，有沒有白斑病，贓污。