模塊電源耐壓不良的原因

電源模塊的耐壓值一般高達(dá)幾千伏，不過在應(yīng)用或者測試中可能會出現(xiàn)達(dá)不到指標(biāo)的情況。

降低耐壓能力的原因：

（1）耐壓測試儀存在開機(jī)過沖

（2）選用模塊的隔離電壓值不夠

（3）維修中多次使用回流焊、熱風(fēng)槍

解決方法：可以通過規(guī)范測試和規(guī)范使用兩方面改善。如：耐壓測試時電壓逐步上調(diào)，選取耐壓值較高的模塊，焊接模塊時要選取合適的溫度，避免反復(fù)焊接，損壞模塊。

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電源模塊的相關(guān)介紹

電源模塊并聯(lián)異常有啟動異常、輸出短路、輸出無法均流、模塊燒毀等，模塊并聯(lián)無法均流一般從結(jié)構(gòu)上和輸出特性分析。若倆個模塊的參數(shù)完全相同時（較大輸出電壓和輸出阻抗，負(fù)載特性曲線重合），則能實現(xiàn)負(fù)載電流均勻分配。但在實際應(yīng)用中，在模塊電壓相同情況下，每個模塊的輸出阻抗是不一樣的，輸出電壓細(xì)微的差別都將影響著輸出電流的變化。模塊內(nèi)部高集成電路，使設(shè)計更加緊湊，供應(yīng)商還可以提供專業(yè)的技術(shù)支持和系統(tǒng)解決方案。所以一般輸出不均流的主要原因都是輸出電壓和阻抗不一樣。

Ott關(guān)于不同模式電磁干擾水平的公式(2)示意了回路面積對電路電磁干擾水平產(chǎn)生的直接線性影響。E=263×10-16(f2AI)(1/r) (2)輻射場正比于下列參數(shù)：涉及的諧波頻率(f，單位Hz)、回路面積(A，單位m2)、電流(I)和測量距離(r，單位m)。此概念可以推廣到所有利用梯形波形進(jìn)行電路設(shè)計的場合，不過本文僅討論電源設(shè)計。參考圖4中的交流模型，研究其回路電流流動情況：起點為輸入電容器，然后在Q1導(dǎo)通期間流向Q1，再通過L1進(jìn)入輸出電容器，后返回輸入電容器中。當(dāng)Q1關(guān)斷、Q2導(dǎo)通時，就形成了第二個回路。人們在開關(guān)電源技術(shù)領(lǐng)域是邊開發(fā)相關(guān)電力電子器件，320W單組開關(guān)電源邊開發(fā)開關(guān)變頻技術(shù)，兩者相互促進(jìn)推動著開關(guān)電源每年以超過兩位數(shù)字的增長率向著輕、小、薄、低噪聲、高可靠、抗干擾的方向發(fā)展。之后存儲在L1內(nèi)的能量流經(jīng)輸出電容器和Q2，如圖5所示。這些回路面積控制對于降低電磁干擾是很重要的，在PCB走線布線時就要預(yù)先考慮清器件的布局問題。當(dāng)然，回路面積能做到多小也是有實際限制的。

開關(guān)電源中應(yīng)用的電力電子器件主要為二極管、IGBT和MOSFET、變壓器。SCR在開關(guān)電源輸入整流電路及軟啟動電路中有少量應(yīng)用，GTR驅(qū)動困難，開關(guān)頻率低，逐漸被IGBT和MOSFET。開關(guān)電源的發(fā)展方向是高頻、高可靠、低耗、低噪聲、抗干擾和模塊化。開關(guān)電源由于開關(guān)電源輕、小、薄的關(guān)鍵技術(shù)是高頻化，因此國外各大開關(guān)電源制造商都致力于同步開發(fā)新型高智能化的元器件，特別是改善二次整流器件的損耗，并在功率鐵氧體材料上加大科技，以提高在高頻率和較大磁通密度（Bs)下獲得高的磁性能，而電容器的小型化也是一項關(guān)鍵技術(shù)。SMT技術(shù)的應(yīng)用使得開關(guān)電源取得了長足的進(jìn)展，在電路板兩面布置元器件，以確保開關(guān)電源的輕、小、薄。并且由于儲能電感L只在開關(guān)K關(guān)斷時才向負(fù)載輸出電流，因此，在相同條件下，反轉(zhuǎn)式串聯(lián)開關(guān)電源輸出的電流比串聯(lián)式開關(guān)電源輸出的電流小一倍。開關(guān)電源的高頻化就必然對傳統(tǒng)的PWM開關(guān)技術(shù)進(jìn)行，實現(xiàn)ZVS、ZCS的軟開關(guān)技術(shù)已成為開關(guān)電源的主流技術(shù)，并大幅提高了開關(guān)電源的工作效率。對于高可靠性指標(biāo)，美國的開關(guān)電源生產(chǎn)商通過降低運(yùn)行電流，降低結(jié)溫等措施以減少器件的應(yīng)力，使得產(chǎn)品的可靠性大大提高。