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快恢復(fù)二極管與肖特基二極管又有什么不同呢？相比之下，ASEMI肖特基二極管又會(huì)有什么樣的優(yōu)勢(shì)呢？

首先，我們來(lái)看一下一般的快恢復(fù)二極管。UFRD的反向恢復(fù)時(shí)間Trr也在20ns以上，根本不能滿(mǎn)足像空間站等領(lǐng)域用1MHz~3MHz的SMPS需要。即使是硬開(kāi)關(guān)為100kHz的SMPS，由于UFRD的導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗均較大，殼溫很高，需用較大的散熱器，從而使SMPS體積和重量增加，不符合小型化和輕薄化的發(fā)展趨勢(shì)。

ASEMI整流肖特基二極管快資訊！

SiC高壓SBD

由于Si和GaAs的勢(shì)壘高度和臨界電場(chǎng)比寬帶半導(dǎo)體材料低，用其制作的SBD擊穿電壓較低，反向漏電流較大。碳化硅(SiC)材料的禁帶寬度大(2.2eV~3.2eV)，臨界擊穿電場(chǎng)高(2V/cm~4×106V/cm)，飽合速度快(2×107cm/s)，熱導(dǎo)率高為4.9W/(cm·K)，抗化學(xué)腐蝕性強(qiáng)，硬度大，材料制備和制作工藝也比較成熟，是制作高耐壓、低正向壓降和高開(kāi)關(guān)速度SBD的比較理想的新型材料。

肖特基二極管

      優(yōu)點(diǎn)：

              1.   正向壓降小 ：              通常0.4V左右

              2.   反向恢復(fù)時(shí)間極短:        可達(dá)5納秒

              3.  大的正向電流:                1A---300A之間

     缺點(diǎn)：

             1.反向工作電壓VR低:          通常200V以下

             2.漏電流稍大些       :            僅有10mA

    例1：B82-400

           1.反向工作電壓VRRM:40V

           2.正向壓降VF:0.55V(IF=2.0A)

           3.漏電流IR=5mA(VRRM=40V)

          4.整流電流IF=5A

          5.浪涌電流IFSM=100A(T=10ms)

例2：1N5817,1N5818,1N5819

          1.反向工作電壓VRRM(1N5817,1N5818,1N5819 ):20V,30V,40V

           2.正向壓降VF:0.6V(IF=1.0A)

           3.漏電流IR=0.1mA(VRRM=40V)

          4.整流電流IF=1A

          5.浪涌電流IFSM=25A(T=10ms)