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ASEMI新型高壓SBD的結(jié)構(gòu)和材料與傳統(tǒng)SBD是有區(qū)別的。傳統(tǒng)SBD是通過金屬與半導體接觸而構(gòu)成。金屬材料可選用鋁、金、鉬、鎳和鈦等，半導體通常為(Si)或(GaAs)。由于電子比空穴遷移率大，為獲得良好的頻率特性，故選用N型半導體材料作為基片。為了減小SBD的結(jié)電容，提高反向擊穿電壓，同時又不使串聯(lián)電阻過大，通常是在N 襯底上外延一高阻N-薄層。

電子從半導體向金屬擴散運動的結(jié)果，形成空間電荷區(qū)、自建電場和勢壘，并且耗盡層只在N型半導體一邊(勢壘區(qū)全部落在半導體一側(cè))。勢壘區(qū)中自建電場方向由N型區(qū)指向金屬，隨熱電子發(fā)射自建場增加，與擴散電流方向相反的漂移電流增大，最終達到動態(tài)平衡，在金屬與半導體之間形成一個接觸勢壘，這就是肖特基勢壘。

ASEMI實用案例，肖特基二極管的一個典型的應用，是在雙極型晶體管 BJT 的開關(guān)電路里面，通過在 BJT 上連接 Shockley 二極管來箝位，使得晶體管在導通狀態(tài)時其實處于很接近截止狀態(tài)，從而提高晶體管的開關(guān)速度。這種方法是 74LS，74ALS，74AS 等典型數(shù)字 IC 的 TTL內(nèi)部電路中使用的技術(shù)。