?開關(guān)電源介紹

開關(guān)電源介紹

電力是整個(gè)FM廣播發(fā)l射機(jī)的電源核心。從各發(fā)射室設(shè)備間電磁兼容、發(fā)射機(jī)整體效率、電源可靠性、日常維護(hù)等方面考慮，開關(guān)電源無疑是固態(tài)調(diào)頻廣播發(fā)l射機(jī)電源的很好選擇。開關(guān)電源的優(yōu)良性能主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面。首先，體積較小。可以和功放集成組裝在一起。數(shù)百kHz的開關(guān)頻率使濾波阻抗元件體積減小到很小，這樣既減輕了發(fā)射機(jī)重，又減小了體積，便于運(yùn)輸和日常維護(hù)。二是更有效率。其中，開關(guān)技術(shù)在功率開關(guān)管MOSFET等新型器件中的應(yīng)用，是將多種電路拓?fù)浣M合在一起實(shí)現(xiàn)低損耗、高l效率電源系統(tǒng)的重要保證。

三是減少電磁污染。發(fā)射機(jī)電源內(nèi)部的EMI濾波電路和相關(guān)的高尖峰脈沖吸收電路是使電源諧波電流符合要求的重要保證，它不僅能改善電源對(duì)電網(wǎng)的負(fù)荷特性，減少對(duì)電網(wǎng)的嚴(yán)重污染，而且還能降低對(duì)其他網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的諧波干擾。四是可靠性有了進(jìn)一步提高。多項(xiàng)防雷、防感應(yīng)或抗過電壓保護(hù)措施，以及采用涂有三防涂料(防潮、防鹽和防霉)的印制電路板，都能很大限度地減少發(fā)生故障的機(jī)會(huì)。

模塊電源做老化測(cè)試的原因

模組供電的脆化方法主要有常溫加載脆化和高溫插電式高低溫測(cè)試兩種，其中高溫加載脆化很為常見。針對(duì)商品部件的高溫脆化問題，可將其缺陷或質(zhì)量缺陷曝露出來，從而提高商品的可靠性和可靠性。

模組電源的高溫脆性是模擬商品在自然環(huán)境中高溫應(yīng)用的自然環(huán)境，高低溫試驗(yàn)時(shí)間一般為12-48小時(shí)。溫度脆化有兩種方式，一種是自然高溫環(huán)境下設(shè)置，另一種是插入脆化。這是在高溫自然環(huán)境中，使用自然環(huán)境中更為極端的標(biāo)準(zhǔn)沖擊性模塊供電。

電路板上的元件容易被靜電l擊穿方式

電路板上的元件容易被靜電l擊穿方式

靜電l擊穿分析。

一種ESD敏感裝置，MOS管本身的輸入電阻很大，而且柵源極間電容非常小，因此極易受到外部電磁場(chǎng)或靜電的影響而帶電(極間電容上有少量電荷可形成較高的電壓(如U=Q/C)使管子受損)，又由于在靜電較強(qiáng)的情況下不易放出電荷，容易造成靜電l擊穿。

靜電l擊穿有兩種方式：

一是電壓型，即柵極的薄氧化層被擊穿，導(dǎo)致柵極與源極之間或柵極與漏極之間發(fā)生短路；

二是功率型，即金屬化薄膜鋁條被熔斷，導(dǎo)致柵極與源極之間或柵極之間發(fā)生短路。和MOS管一樣，JFET管也有很高的輸入電阻，只是MOS管的輸入電阻較高。

反偏型pn結(jié)比正偏型pn結(jié)更易發(fā)生熱失效，反偏型pn結(jié)破壞所需能量?jī)H為正偏型pn結(jié)的十分之一。因?yàn)榉雌珪r(shí)，大部分能量消耗在結(jié)區(qū)中心，而正偏時(shí)，則更多地消耗在結(jié)區(qū)外的體阻。對(duì)雙極器件而言，發(fā)射結(jié)的面積一般都小于其他結(jié)，并且其結(jié)面與表面的距離較近，因此，往往可以看到發(fā)射結(jié)的退化現(xiàn)象。另外，擊穿電壓大于100V或漏泄電流小于1nA(如JFET的柵結(jié))的pn結(jié)比相同尺寸的普通pn結(jié)對(duì)靜電放電更敏感。

pcba板容易被靜電l擊穿的?原因分析

pcba板容易被靜電l擊穿的原因分析

一切都是相對(duì)的，不是絕l對(duì)的，MOS管僅僅是相對(duì)于其他器件靈敏度高一些，ESD的一個(gè)很大的特點(diǎn)是隨機(jī)性，并非沒有碰到MOS管就能將其擊穿。此外，即使產(chǎn)生了ESD，也不一定會(huì)擊穿管道。其基本物理特性是：

(1)具有吸引或排斥力；

(2)存在電場(chǎng)，對(duì)大地產(chǎn)生電位差；

(3)將產(chǎn)生放電電流。

在這種情況下，ESD通常會(huì)對(duì)電子元器件造成以下三種情況：

(1)元器件吸附塵埃，改變線路之間的阻抗，影響元器件的功能和壽命；

(2)由于電場(chǎng)或電流而損壞元器件絕緣層和導(dǎo)體，導(dǎo)致元器件失效(完全損壞);

(3)由于瞬間軟擊穿或電流而產(chǎn)生過熱，導(dǎo)致元器件受傷，盡管仍然能工作，但壽命受到損害。因此，ESD對(duì)MOS管的破壞可以是一、三種情況，不必每次都是第二種情況。

以上三種情況，若元件完全損壞，必能在產(chǎn)品質(zhì)量檢測(cè)中發(fā)現(xiàn)并排除，影響較小。若元器件有輕微損壞，在正常測(cè)試中不易發(fā)現(xiàn)，在這種情況下，往往會(huì)因多次加工，甚至已經(jīng)在使用中，才發(fā)現(xiàn)損壞，不但檢查不易，損失也難以預(yù)料。靜電對(duì)電性電子元件造成的危害不亞于重大火災(zāi)爆l炸事故。