氧化鋅（ZnO）晶體作為新一代寬禁帶、直接帶隙的多功能IBⅥA族半導(dǎo)體材料,具有優(yōu)良的光電、導(dǎo)電、壓電、氣敏、壓敏等特性。氧化鋅（ZnO）晶體主要性能參數(shù)：晶體結(jié)構(gòu)：六方；晶格常數(shù)：a=3.252A c=5.313 A；密度：5.7（g/cm3）；硬度：4（mohs）；熔點：1975℃；熱膨脹系數(shù)：6.5 x 10-6 /℃//a 3.7 x 10-6 /℃//c；熱 容：0.125 cal /g.m；熱電常數(shù)：1200 mv/k @ 300 ℃；熱 導(dǎo)：0.006 cal/cm/k。

氧化鋅（ZnO）晶體作為新一代寬禁帶、直接帶隙的多功能IBⅥA族半導(dǎo)體材料,具有優(yōu)良的光電、導(dǎo)電、壓電、氣敏、壓敏等特性。氧化鋅（ZnO）晶體隨著環(huán)境條件的改變形成不同結(jié)構(gòu)的晶體。ZnO晶體中的化學(xué)鍵既有離子鍵的成分,又有共價鍵的成分,兩種成分的含量差不多,因而使得ZnO晶體中的化學(xué)鍵沒有離子晶體那么強,導(dǎo)致其在一定的外界條件下更容易發(fā)生晶體結(jié)構(gòu)上的改變。

氧化鋅（ZnO）的帶邊發(fā)射在紫外區(qū)，非常適宜作為白光LED的激發(fā)光源材料，凸顯了氧化鋅（ZnO）在半導(dǎo)體照明工程中的重要地位，氧化鋅（ZnO）具有資源豐富、價格低廉、高的化學(xué)和熱穩(wěn)定性，更好的抗輻照損傷能力，適合做長壽命器件等多方面的優(yōu)勢。氧化鋅（ZnO）晶體隨著環(huán)境條件的改變形成不同結(jié)構(gòu)的晶體。ZnO晶體中的化學(xué)鍵既有離子鍵的成分,又有共價鍵的成分,兩種成分的含量差不多,因而使得ZnO晶體中的化學(xué)鍵沒有離子晶體那么強,導(dǎo)致其在一定的外界條件下更容易發(fā)生晶體結(jié)構(gòu)上的改變。