金屬標(biāo)牌蝕刻突破瓶頸的新模式

　金屬標(biāo)牌蝕刻是一種全新的蝕刻工藝，標(biāo)牌顧名思義大家都知道是什么，金屬標(biāo)牌所選用的材料一般為鋁、銅、不銹鋼板。而鋁所選用的鋁版一般為拉絲鋁板，擁有精致的線條紋路，使印刷出來的鋁牌顯得十分的精巧、美觀。而輕，柔，美就是鋁牌的特點。這種鋁表面還有一層保護膜保護好鋁牌不被刮花。5g/l，陰極電流密度50～60a/dm2，溫度55～60℃。蝕刻就是在它的上面進行加工，一起來看看金屬標(biāo)牌蝕刻突破瓶頸的模式吧！

突破性的蝕刻技術(shù)實現(xiàn)原子級的蝕刻精準(zhǔn)性，從而推動摩爾定律發(fā)展；而鋁所選用的鋁版一般為拉絲鋁板，擁有精致的線條紋路，使印刷出來的鋁牌顯得十分的精巧、美觀。隨著芯片結(jié)構(gòu)日益精細，選擇性工藝可在不損傷芯片的前提下清除不需要的材料；該系統(tǒng)已獲得芯片制造商青睞，用于生產(chǎn)先進FinFET和存儲芯片生產(chǎn)先進芯片的一個重要壁壘是在一個多層結(jié)構(gòu)芯片中有選擇性地清除某一特定材料，而不破壞其他材料是我們在蝕刻領(lǐng)域中的又一大創(chuàng)新，豐富了我們的差異化產(chǎn)品線，通過實現(xiàn)選擇性清除工藝，推動了摩爾定律發(fā)展，創(chuàng)造了新的市場機遇。

隨著先進微型芯片的結(jié)構(gòu)日益復(fù)雜，其深而窄的溝槽為芯片制造帶來了全新的挑戰(zhàn)，例如濕性化學(xué)成分無法穿透微小結(jié)構(gòu)，或是無法在不損傷芯片的前提下清除不需要的物質(zhì)。Selectra系統(tǒng)的革命性工藝可進入極狹小的空間，從而實現(xiàn)的選擇性材料清除和原子級的蝕刻精準(zhǔn)性，適用于各類電介質(zhì)、金屬和半導(dǎo)體薄膜。其廣泛的工藝范圍以及控制無殘留物和無損傷材料清除的能力，顯著擴大了蝕刻技術(shù)的應(yīng)用范圍，可用于圖案化、邏輯、代工、3DNAND及DRAM等關(guān)鍵蝕刻應(yīng)用。要更進一步地改善,可以透過對板中心和邊緣處不同的噴淋壓力,以及對板前沿和板后端采用間歇蝕刻的方法﹐達到整個板面的蝕刻均勻性。憑借Selectra系統(tǒng)的豐富功能，芯片制造商能夠生產(chǎn)出先進的3D設(shè)備，并探索新的芯片結(jié)構(gòu)、材料和集成技術(shù)。

通常鏤空蝕刻細保留線 條在 0.3mm 左右，而我公司能生產(chǎn)出 0.1mm 左右的細線條。通常表 面蝕刻能達到 0.15mm 線條，而我公司能生產(chǎn)出 0.04mm 細線條。 所以叫做精細蝕刻。(二)制作的工藝流程不銹鋼板→脫脂除油→清洗→烘干→涂保護涂料→硫化→修補→移印→刻形→蝕刻→清洗→切邊→清理→填充→罩透明漆→干燥→成品。 精細蝕刻其工藝流程基本上與普通蝕刻一樣， 即： 基材清洗——印抗蝕油墨——烘干——曝光——顯影——蝕刻——去膜 ——電鍍 基本操作如下： 1.1 圖案與菲林制作 因為精細蝕刻的產(chǎn)品已進入藝術(shù)品的范疇，所以制圖時應(yīng)將造 型、布局、色彩，特別是光線反射等諸多藝術(shù)效果的因素與生產(chǎn)工藝 所允許的條件完好的結(jié)合起來。

去邊（Edge bead removal-EBR）--去膠邊的過程，通常在涂膠后將溶劑噴在硅片的背面或前 邊沿上。 前烘（Soft-bake）-- 在涂膠后用來去除膠溶劑的溫度步驟。 曝光-- 把涂膠后的硅片，暴露在某種形式的射線下，以在膠上產(chǎn)生隱約的圖像 的步驟。 PEB —曝光以后消除膠里的由襯底反射引起的膠里的駐波的溫度步驟。最早可用來制造銅版、鋅版等印刷凹凸版，也廣泛地被使用于減輕重量(WeightReduction)儀器鑲板，銘牌及傳統(tǒng)加工法難以加工之薄形工件等的加工。 顯影（Development）-- 在曝光以后分解膠產(chǎn)生掩膜圖案的過程。 后烘 (Hard-bake)—用來去除殘留溶劑，增加膠的沾著力和耐腐能力，在顯影后完成，可以包 括 DUV 固膠。