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ICP刻蝕機簡介
以下是沈陽鵬程真空技術有限責任公司為您一起分享的內容,沈陽鵬程真空技術有限責任公司專業(yè)生產化學氣相沉積,歡迎新老客戶蒞臨。
一.系統(tǒng)概況
該系統(tǒng)主要用于常規(guī)尺寸樣片(不超過Φ6)的刻蝕,可刻蝕的材料主要有SiO2、Si3N4、多晶硅、
硅、SiC、GaN、GaAs、ITO、AZO、光刻膠、半導體材料、部分金屬等。設備具有選擇比高、刻
蝕速率快、重復性好等優(yōu)點。具體描述如下:
1.系統(tǒng)采用單室方箱式結構,手動上開蓋結構;
2.真空室組件及配備零部件全部采用鋁材料制造,真空尺寸為400mm×400×197mm,
內腔尺寸Ф340mm×160mm;
3.極限真空度:≤6.6x10-4 Pa (經(jīng)烘烤除氣后,采用FF160/600分子泵抽氣);
系統(tǒng)真空檢漏漏率:≤5.0x10-7 Pa.l/S;
系統(tǒng)從大氣開始抽氣到5.0x10-3 Pa,20分鐘可達到(采用分子泵抽氣);
停泵關機12小時后真空度:≤5 Pa;
4.采用樣品在下,噴淋頭在上噴淋式進氣方式;
5.樣品水冷:由循環(huán)水冷水機進行控制;
7.ICP頭尺寸:340mm mm,噴淋頭與樣品之間電極間距50mm;
8. 沉積工作真空:1-20Pa;
9. 氣路設有勻氣系統(tǒng),真空室內設有保證抽氣均勻性抽氣裝置;
10. 射頻電源:2臺頻率 13.56MHz,功率600W,全自動匹配;
11. 6路氣體,共計使用6個質量流量控制器控制進氣。
氣體:氦氣/氧氣/四氟化碳/六氟化硫
12. 刻蝕速率
SiO2:≥0.5μm/min
Si:≥1μm/min
光刻膠:≥1μm/min
13. 刻蝕不均勻性:
優(yōu)于±5%(Φ4英寸范圍內)
優(yōu)于±6%(Φ6英寸范圍內)
14. 選擇比
CF4的選擇比為50,
化學氣相沉積的原理
沈陽鵬程真空技術有限責任公司專業(yè)生產、銷售化學氣相沉積,我們?yōu)槟治鲈摦a品的以下信息。
化學氣相沉積技術是應用氣態(tài)物質在固體上產生化學反應和傳輸反應等并產生固態(tài)沉積物的一種工藝,它大致包含三步:
(1)形成揮發(fā)性物質 ;
(2)把上述物質轉移至沉積區(qū)域 ;
(3)在固體上產生化學反應并產生固態(tài)物質 ?;镜幕瘜W氣相沉積反應包括熱分解反應、化學合成反應以及化學傳輸反應等集中。
化學氣相沉積法在金屬材料方面的使用
以下內容由沈陽鵬程真空技術有限責任公司為您提供,今天我們來分享化學氣相沉積的相關內容,希望對同行業(yè)的朋友有所幫助!
化學氣相沉積法生產幾種金屬薄膜
金屬薄膜因其有著較好的高導電率、強催化活性以及極其穩(wěn)定引起了研究者的興趣。和生成金屬薄膜的其他方式相比,化學氣相沉積法有更多技術優(yōu)勢,所以大多數(shù)制備金屬薄膜都會采用這種方式。沉積金屬薄膜用的沉積員物質種類比較廣泛,不過大多是金屬元素的鹵化物和有機化合物,比如COCl2、氯化碳酰鉑、氯化碳酰銥、DCPD化合物等等。如需了解更多化學氣相沉積的相關信息,歡迎關注沈陽鵬程真空技術有限責任公司網(wǎng)站或撥打圖片上的熱點電話,我司會為您提供專業(yè)、周到的服務。
Goto 團隊在金屬薄膜用作電極材料上做了大量的工作。他們所使用的襯底材料有藍寶石、石英玻璃以及氧化釔穩(wěn)定化的二氧化鋯(YSZ)等等。在成沉積時往裝置中通入氧氣是為了消除掉原料因熱分解產生的碳,并制備出更有金屬光澤的金屬薄膜,如若不然則得到的就是銥碳簇膜,也就是納米等級被晶碳層所包裹的銥顆粒。沉積在YSZ 上面的銥碳簇膜有著較好的電性能和催化活性。在比較低的溫度下,銥碳簇膜的界面電導率能達到純銥或者純鉑的百倍以上。金屬和炭組成的簇膜是一種輸送多孔催化活性強的簇膜,在電極材料上的使用在未來將很有潛力。等離子體處理可應用于所有的基材,甚至復雜的幾何構形都可以進行等離子體活化、等離子體清洗,等離子體鍍膜也毫無問題。
化學氣相沉積過程介紹
化學氣相沉積過程分為三個重要階段:反應氣體向基體表面擴散、反應氣體吸附于基體表面、在基體表面上發(fā)生化學反應形成固態(tài)沉積物及產生的氣相副產物脫離基體表面。常見的化學氣相沉積反應有:熱分解反應、化學合成反應和化學傳輸反應等。通常沉積TiC或TiN,是向850~1100℃的反應室通入TiCl4,H2,CH4等氣體,經(jīng)化學反應,在基體表面形成覆層。激光干涉:激光干涉終點法(IEP)是用激光光源檢測透明薄膜厚度的變化,當厚度變化停止時,則意味著到達了刻蝕終點。
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