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磁控方箱生產(chǎn)線介紹
用于納米級(jí)單層及多層功能膜、硬質(zhì)膜、金屬膜、半導(dǎo)體膜、介質(zhì)膜等新型薄膜材料的制備。廣泛應(yīng)用于大專院校、科研院所的薄膜材料科研與小批量制備?! ?
主要由真空室系統(tǒng)濺射室、靶及電源系統(tǒng)、樣品臺(tái)系統(tǒng)、真空抽氣及測(cè)量系統(tǒng)、氣路系統(tǒng)、電控系統(tǒng)、計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)及輔助系統(tǒng)等組成?!?
技術(shù)指標(biāo): 極限真空度6.7×10-5Pa,系統(tǒng)漏率:1×10-7PaL/S; 恢復(fù)真空時(shí)間:40分鐘可達(dá)6.6×10 Pa(短時(shí)間暴露 大氣并充干燥氮?dú)夂箝_始抽氣)
鍍膜方式:磁控靶為直靶,向下濺射成膜; 樣品基片: 負(fù)偏壓 -200V
樣品轉(zhuǎn)盤:在基片傳輸線上連續(xù)可調(diào)可控,在真空下可輪流任意靶位互換工作。樣品轉(zhuǎn)盤由伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng),計(jì)算機(jī)控制其水平傳遞;
可選分子泵組或者低溫泵組合渦旋干泵抽氣系統(tǒng),計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)的功能:對(duì)位移和樣品公轉(zhuǎn)速度隨時(shí)間的變化做實(shí)時(shí)采集,對(duì)位移誤差進(jìn)行計(jì)算,以曲線和數(shù)值顯示。樣品公轉(zhuǎn)速度對(duì)位移曲線可在線性和對(duì)數(shù)標(biāo)度兩種顯示之間切換,可實(shí)現(xiàn)換位定點(diǎn)鍍膜。
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雙靶磁控濺射鍍膜系統(tǒng)
設(shè)備用途:
用于納米級(jí)單層及多層功能膜、硬質(zhì)膜、金屬膜、半導(dǎo)體膜、介質(zhì)膜等新型薄膜材料的制備??蓮V泛應(yīng)用于大專院校、科研院所的薄膜材料的科研與小批量制備。同時(shí)設(shè)備具有反濺射清洗功能,以提高膜的質(zhì)量和牢固度。
設(shè)備組成
系統(tǒng)主要由濺射真空室、永磁磁控濺射靶(2個(gè)靶)、單基片加熱臺(tái)、直流電源、射頻電源、工作氣路、抽氣系統(tǒng)、真空測(cè)量、電控系統(tǒng)及安裝機(jī)臺(tái)等部分組成。
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光纖磁控濺射鍍膜機(jī)組成
以下內(nèi)容由沈陽(yáng)鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司為您提供,希望對(duì)同行業(yè)的朋友有所幫助。
在光纖表面鍍制納米級(jí)單層及多層功能膜、硬質(zhì)膜、金屬膜、半導(dǎo)體膜、介質(zhì)膜等新型薄膜材料的制備。配有陽(yáng)極層離子源進(jìn)行清洗和輔助沉積,同時(shí)設(shè)備具有反濺射清洗功能,以提高膜的質(zhì)量和牢固度。專用樣品臺(tái)可鍍制多種型號(hào)光纖產(chǎn)品
系統(tǒng)主要由真空室、磁控靶、單基片加熱臺(tái)、直流電源、射頻電源、工作氣路、抽氣系統(tǒng)、真空測(cè)量、電控系統(tǒng)及安裝機(jī)臺(tái)等部分組成。