CF50高溫束源爐

 CF50高溫束源爐是MBE專用的可加熱至1600℃-1900℃。采用外水冷套結構,加熱，溫度測量控制重復性好，并且可以調節(jié)。改進后的可旋轉電子束加熱樣品臺結構簡單，操作方便，工作穩(wěn)定可靠，加熱室密封性好，樣品得到旋轉加熱，受熱均勻，有效提高設備加熱效率。鉭燈絲的優(yōu)化設計確保了加熱穩(wěn)定性，即使在極限溫度下也可以具有很長的使用壽命。用于低蒸汽壓的元素和化合物材料薄膜沉積，例如Fe，Cr，Ni，Co，Au，Ge等材料，以及表面科學分析和磁性或氧化物薄膜沉積。

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高溫束源爐介紹

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束源爐是一種蒸發(fā)鍍膜裝置是在高真空條件下，通過加熱材料的方法，使坩堝中被蒸發(fā)物在襯底上沉積各種化合物、混合物單層或多層膜，可用于鍍半導體、金屬膜，氧化物、納米級單層及多層功能膜的連續(xù)沉積。

加熱，溫度測量控制重復性好，并且可以準確調節(jié)。鉭燈絲的優(yōu)化設計確保了加熱穩(wěn)定性，即使在極限溫度下也可以具有很長的使用壽命。 

水冷電纜電極性能要求

水冷電纜外護套膠管耐擊穿電壓V≧2300V。

水冷電纜外護套膠管耐工作水壓P≧0.6Mpa。

外護套膠管與電極接口處冷卻水無滲漏。

軟體導線與電極在專用設備上冷擠壓緊固。

200mm2標稱截面積的試驗拉力為15KN，在此基礎上，水冷電纜標稱截面積每增加100mm2，試驗拉力值相應增, 加5KN。

水冷電纜的表面溫升（包括連接處）不大于40K。

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什么是靶材？

沈陽鵬程真空技術有限責任公司——專業(yè)電阻熱蒸發(fā)鍍膜產品供應商，我們?yōu)槟鷰硪韵滦畔ⅰ?

靶材就是目標材料。用于高能激光器械中,不同功率密度、不同輸出波形、 不同波長的激光與不同的靶材相互作用時,會產生不同的殺傷破壞效應。用于物理鍍膜中的濺鍍，主要有金屬靶材和陶瓷靶材。

磁控濺射鍍膜是一種新型的物理氣相鍍膜方式,較之較早點的蒸發(fā)鍍膜方式,其很多方面的優(yōu)勢相當明顯。作為- -項已經發(fā)展的較為成熟的技術,磁控濺射已經被應用于許多領域。