磁控方箱生產(chǎn)線介紹

用于納米級單層及多層功能膜、硬質膜、金屬膜、半導體膜、介質膜等新型薄膜材料的制備。廣泛應用于大專院校、科研院所的薄膜材料科研與小批量制備?！　?

主要由真空室系統(tǒng)濺射室、靶及電源系統(tǒng)、樣品臺系統(tǒng)、真空抽氣及測量系統(tǒng)、氣路系統(tǒng)、電控系統(tǒng)、計算機控制系統(tǒng)及輔助系統(tǒng)等組成?！?

技術指標：　　極限真空度6.7×10-5Pa，系統(tǒng)漏率：1×10-7PaL/S；　　恢復真空時間：40分鐘可達6.6×10 Pa（短時間暴露　　大氣并充干燥氮氣后開始抽氣）　　

鍍膜方式：磁控靶為直靶，向下濺射成膜；　　樣品基片: 負偏壓 -200V　　

樣品轉盤：在基片傳輸線上連續(xù)可調可控，在真空下可輪流任意靶位互換工作。樣品轉盤由伺服電機驅動，計算機控制其水平傳遞；　　

可選分子泵組或者低溫泵組合渦旋干泵抽氣系統(tǒng)，計算機控制系統(tǒng)的功能：對位移和樣品公轉速度隨時間的變化做實時采集，對位移誤差進行計算，以曲線和數(shù)值顯示。樣品公轉速度對位移曲線可在線性和對數(shù)標度兩種顯示之間切換，可實現(xiàn)換位定點鍍膜。

以上就是為大家介紹的全部內容，希望對大家有所幫助。如果您想要了解更多磁控濺射產(chǎn)品的知識，歡迎撥打圖片上的熱線聯(lián)系我們。