化學(xué)氣相沉積技術(shù)的使用

生產(chǎn)晶須：

晶須屬于一種以為發(fā)育的單晶體，它在符合材料范疇中有著很大的作用，能夠用于生產(chǎn)一些新型復(fù)合材料。 化學(xué)氣相沉積法在生產(chǎn)晶須時使用的是金屬鹵化物的氫還原性質(zhì)?；瘜W(xué)氣相沉積法簡介沈陽鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司擁有先進(jìn)的技術(shù)，我們都以質(zhì)量為本，信譽(yù)高，我們竭誠歡迎廣大的顧客來公司洽談業(yè)務(wù)。化學(xué)氣相沉積法不但能制備出各類金屬晶須，同時也能生產(chǎn)出化合物晶須，比如氧化鋁、金剛砂、碳化鈦晶須等等。

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化學(xué)氣相沉積的分類

化學(xué)氣相沉積的方法很多，如常壓化學(xué)氣相沉積(Atmospheric pressure CVD，APCVD)、低壓化學(xué)氣相沉積(Low pressure CVD，LPCVD)、超高真空化學(xué)氣相沉積(Ultrahigh vacuum CVD，UHVCVD)、激光化學(xué)氣相沉積(Laser CVD，LCVD)、金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積(metal-organic CVD，MOCVD)，等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（Plasma enhanced CVD，PECVD）等。激光干涉：激光干涉終點法（IEP）是用激光光源檢測透明薄膜厚度的變化，當(dāng)厚度變化停止時，則意味著到達(dá)了刻蝕終點。

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等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積的主要過程

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等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）技術(shù)是借助于輝光放電等離子體使含有薄膜組成的氣態(tài)物質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而實現(xiàn)薄膜材料生長的一種新的制備技術(shù)。由于PECVD技術(shù)是通過應(yīng)氣體放電來制備薄膜的，有效地利用了非平衡等離子體的反應(yīng)特征，從根本上改變了反應(yīng)體系的能量供給方式。（2）刻蝕腔體刻蝕腔體是ICP刻蝕設(shè)備的核心結(jié)構(gòu)，它對刻蝕速率、刻蝕的垂直度以及粗糙度都有直接的影響。一般說來,采用PECVD技術(shù)制備薄膜材料時，薄膜的生長主要包含以下三個基本過程：

首先，在非平衡等離子體中，電子與反應(yīng)氣體發(fā)生初級反應(yīng)，使得反應(yīng)氣體發(fā)生分解，形成離子和活性基團(tuán)的混合物；

其二，各種活性基團(tuán)向薄膜生長表面和管壁擴(kuò)散輸運(yùn)，同時發(fā)生各反應(yīng)物之間的次級反應(yīng)；

然后，到達(dá)生長表面的各種初級反應(yīng)和次級反應(yīng)產(chǎn)物被吸附并與表面發(fā)生反應(yīng)，同時伴隨有氣相分子物的再放出。

ICP刻蝕機(jī)的檢測技術(shù)

預(yù)報式檢測

隨著主流半導(dǎo)體工藝技術(shù)由0.18 μm 逐漸轉(zhuǎn)移到0.13 μm工藝，以及較新的90 nm 工藝成功研發(fā)及投入使用。半導(dǎo)體器件的特征尺寸進(jìn)一步減小，柵氧層的厚度越來越薄。90 nm工藝中，柵氧層的厚度僅為1.2 nm。如果等離子體刻蝕工藝控制不好， 則非常容易出現(xiàn)柵氧層的損傷；同時， 所使用的晶片尺寸增至300mm， 暴露在等離子體轟擊下的被刻蝕面積不斷縮小，所檢測到的終點信號的強(qiáng)度下降，信號的信噪比降低。所有這些因素都對終點檢測技術(shù)本身及其測量結(jié)果的可靠性提出了更加嚴(yán)格的要求。光學(xué)發(fā)射:光學(xué)發(fā)射光譜法（OES）是使用較為廣泛的終點檢測手段。在0.18 μm工藝時，使用單一的OES檢測手段就可滿足工藝需求;進(jìn)入0.13 μm 工藝后，就必須結(jié)合使用OES 及IEP 兩種檢測手段。由于IEP技術(shù)可以在刻蝕終點到達(dá)之前進(jìn)行預(yù)報，因而被稱為預(yù)報式終點檢測技術(shù)。

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