化學(xué)氣相沉積技術(shù)類(lèi)型介紹

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化學(xué)氣相沉積裝置主要的元件就是反應(yīng)器。按照反應(yīng)器結(jié)構(gòu)上的差別，我們可以把化學(xué)氣相沉積技術(shù)分成開(kāi)管/封管氣流法兩種類(lèi)型：

1 封管法這種反應(yīng)方式是將一定量的反應(yīng)物質(zhì)和集體放置于反應(yīng)器的兩邊，將反應(yīng)器中抽成真空， 再向其中注入部分輸運(yùn)氣體，然后再次密封， 再控制反應(yīng)器兩端的溫度使其有一定差別，它的優(yōu)點(diǎn)是：①能有效夠避免外部污染；②無(wú)須持續(xù)抽氣就能使是內(nèi)部保持真空。

2 開(kāi)管法這種制備方法的特點(diǎn)是反應(yīng)氣體混合物能夠隨時(shí)補(bǔ)充。廢氣也可以及時(shí)排出反應(yīng)裝置。以加熱方法為區(qū)分，開(kāi)管氣流法應(yīng)分為熱壁和冷壁兩種。前者的加熱會(huì)讓整個(gè)沉積室壁都會(huì)因此變熱，所以管壁上同樣會(huì)發(fā)生沉積。冷壁式加熱一般會(huì)使用感應(yīng)加熱、通電加熱以及紅外加熱等等。由于反應(yīng)氣體、反應(yīng)產(chǎn)物和基體的相互擴(kuò)散，可以得到附著力好的膜層，這對(duì)表面鈍化、抗蝕及耐磨等表面增強(qiáng)膜是很重要的。

化學(xué)氣相沉積的特點(diǎn)有哪些？

?  高溫石英管反應(yīng)器設(shè)計(jì)

?  溫度范圍：室溫到1100度

?  多路氣體準(zhǔn)確控制

?  標(biāo)準(zhǔn)氣壓計(jì)

?  易于操作

?  可配機(jī)械泵實(shí)現(xiàn)低壓TCVD

?  可用于制備金屬氧化物、氮化物、碳化物、金屬薄膜

?  液體前驅(qū)體噴頭

沈陽(yáng)鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司本著多年化學(xué)氣相沉積行業(yè)經(jīng)驗(yàn)，專(zhuān)注化學(xué)氣相沉積研發(fā)定制與生產(chǎn)，先進(jìn)的化學(xué)氣相沉積生產(chǎn)設(shè)備和技術(shù)，建立了嚴(yán)格的產(chǎn)品生產(chǎn)體系，想要更多的了解，歡迎咨詢(xún)圖片上的熱線(xiàn)電話(huà)?。?！

等離子體化學(xué)氣相沉積的化學(xué)反應(yīng)

以下內(nèi)容由沈陽(yáng)鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司為您提供，希望對(duì)同行業(yè)的朋友有所幫助。

等離子體內(nèi)的化學(xué)反應(yīng)

由于輝光放電過(guò)程中對(duì)反應(yīng)氣體的激勵(lì)主要是電子碰撞，因此等離子體內(nèi)的基元反應(yīng)多種多樣的，而且等離子體與固體表面的相互作用也非常復(fù)雜，這些都給PECVD技術(shù)制膜過(guò)程的機(jī)理研究增加了難度。迄今為止，許多重要的反應(yīng)體系都是通過(guò)實(shí)驗(yàn)使工藝參數(shù)較優(yōu)化，從而獲得具有理想特性的薄膜。對(duì)基于PECVD技術(shù)的硅基薄膜的沉積而言，如果能夠深刻揭示其沉積機(jī)理，便可以在保證材料優(yōu)良物性的前提下，大幅度提高硅基薄膜材料的沉積速率。ICP刻蝕機(jī)的原理感應(yīng)耦合等離子體刻蝕法（InductivelyCoupledPlasmaEtch，簡(jiǎn)稱(chēng)ICPE）是化學(xué)過(guò)程和物理過(guò)程共同作用的結(jié)果。

ICP刻蝕機(jī)檢測(cè)技術(shù)

高密度等離子體刻蝕是當(dāng)今超大規(guī)模集成電路制造過(guò)程中的關(guān)鍵步驟。已經(jīng)開(kāi)發(fā)出許多終點(diǎn)檢測(cè)技術(shù)，終點(diǎn)檢測(cè)設(shè)備就是為實(shí)現(xiàn)刻蝕過(guò)程的實(shí)時(shí)監(jiān)控而設(shè)計(jì)的。

光學(xué)發(fā)射:

光學(xué)發(fā)射光譜法（OES）是使用較為廣泛的終點(diǎn)檢測(cè)手段。其原理是利用檢測(cè)等離子體中某種反應(yīng)性化學(xué)基團(tuán)或揮發(fā)性基團(tuán)所發(fā)射波長(zhǎng)的光強(qiáng)的變化來(lái)實(shí)現(xiàn)終點(diǎn)檢測(cè)。等離子體中的原子或分子被電子激發(fā)到激發(fā)態(tài)后，在返回到另一個(gè)能態(tài)時(shí)，伴隨著這一過(guò)程所發(fā)射出來(lái)的光線(xiàn)。他們所使用的襯底材料有藍(lán)寶石、石英玻璃以及氧化釔穩(wěn)定化的二氧化鋯（YSZ）等等。

光線(xiàn)的強(qiáng)度變化可從反應(yīng)腔室側(cè)壁上的觀測(cè)孔進(jìn)行觀測(cè)。不同原子或分子所激發(fā)的光波波長(zhǎng)各不相同，光線(xiàn)強(qiáng)度的變化反應(yīng)出等離子體中原子或分子濃度的變化。被檢測(cè)的波長(zhǎng)可能會(huì)有兩種變化趨式：一種是在刻蝕終點(diǎn)時(shí)， 反應(yīng)物所發(fā)出的光線(xiàn)強(qiáng)度增加；用冷、熱探針接觸硅片一個(gè)邊沿不相連的兩個(gè)點(diǎn)，電壓表顯示這兩點(diǎn)間的電壓為正值，說(shuō)明導(dǎo)電類(lèi)型為P型，刻蝕合格。另一種情形是光線(xiàn)強(qiáng)度減弱。

激光干涉：

激光干涉終點(diǎn)法（IEP）是用激光光源檢測(cè)透明薄膜厚度的變化，當(dāng)厚度變化停止時(shí)，則意味著到達(dá)了刻蝕終點(diǎn)。其原理是當(dāng)激光垂直入射薄膜表面時(shí)，在透明薄膜前被反射的光線(xiàn)與穿透該薄膜后被下層材料反射的光線(xiàn)相互干涉。

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